IXXH100N60B3 时间：2025/8/6 9:28:37 阅读：31

IXXH100N60B3是一款由Infineon Technologies生产的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流、高电压的功率电子应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，以实现高效的功率转换。其设计支持高开关频率，同时具备较低的导通电阻和较高的热稳定性，适合在电力电子设备中使用。

参数

类型：MOSFET（N沟道）
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大漏极电流(Id)：100A
　　导通电阻(Rds(on))：0.11Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　最大耗散功率(Pd)：300W
　　漏极电容(Coss)：1000pF
　　输入电容(Ciss)：2500pF

特性

IXXH100N60B3具有多个重要特性，使其成为高性能功率电子设备的理想选择。
　　首先，其最大漏源电压为600V，能够支持较高的工作电压，从而适用于高压环境下的功率管理任务。该器件的最大漏极电流为100A，使其能够在高负载条件下提供稳定的性能。
　　其次，该MOSFET的导通电阻仅为0.11Ω，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体能效。此外，其±20V的栅极电压范围允许与多种驱动电路兼容，从而提供更大的设计灵活性。
　　第三，该器件的封装形式为TO-247，这种封装不仅提供了良好的热管理性能，还便于在PCB上安装和散热器连接，确保在高功率条件下的可靠运行。最大耗散功率为300W，表明该器件能够在高功率密度条件下工作，而不会因过热而导致性能下降。
　　最后，该MOSFET的输入电容和漏极电容分别为2500pF和1000pF，这些参数优化了开关性能，使其能够在高频率条件下运行，减少开关损耗。这些特性共同确保了IXXH100N60B3在高性能应用中的广泛适用性。

应用

IXXH100N60B3广泛应用于多种高功率电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场景下。
　　首先，它常用于电源转换器和逆变器的设计中，例如在工业用变频驱动系统中，用于将直流电转换为交流电，以控制电机的速度和转矩。其高漏极电流和低导通电阻使其成为这些应用的理想选择。
　　其次，该器件可用于不间断电源（UPS）系统中，作为核心的功率开关元件，确保在主电源中断时能够迅速切换到备用电源，维持电力供应的连续性。
　　另外，IXXH100N60B3还适用于电动车充电器、太阳能逆变器以及储能系统等新能源领域。在这些应用中，该器件能够有效管理高电压和高电流的转换，提高系统的整体能效和稳定性。
　　此外，该MOSFET还可用于工业自动化设备、高频开关电源以及各种高功率LED照明系统中，满足多样化的设计需求。