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IXXH100N60B3 发布时间 时间:2025/8/6 9:28:37 查看 阅读:27

IXXH100N60B3是一款由Infineon Technologies生产的高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电流、高电压的功率电子应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术,以实现高效的功率转换。其设计支持高开关频率,同时具备较低的导通电阻和较高的热稳定性,适合在电力电子设备中使用。

参数

类型:MOSFET(N沟道)
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大漏极电流(Id):100A
  导通电阻(Rds(on)):0.11Ω
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-247
  栅极电压(Vgs):±20V
  最大耗散功率(Pd):300W
  漏极电容(Coss):1000pF
  输入电容(Ciss):2500pF

特性

IXXH100N60B3具有多个重要特性,使其成为高性能功率电子设备的理想选择。
  首先,其最大漏源电压为600V,能够支持较高的工作电压,从而适用于高压环境下的功率管理任务。该器件的最大漏极电流为100A,使其能够在高负载条件下提供稳定的性能。
  其次,该MOSFET的导通电阻仅为0.11Ω,这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高整体能效。此外,其±20V的栅极电压范围允许与多种驱动电路兼容,从而提供更大的设计灵活性。
  第三,该器件的封装形式为TO-247,这种封装不仅提供了良好的热管理性能,还便于在PCB上安装和散热器连接,确保在高功率条件下的可靠运行。最大耗散功率为300W,表明该器件能够在高功率密度条件下工作,而不会因过热而导致性能下降。
  最后,该MOSFET的输入电容和漏极电容分别为2500pF和1000pF,这些参数优化了开关性能,使其能够在高频率条件下运行,减少开关损耗。这些特性共同确保了IXXH100N60B3在高性能应用中的广泛适用性。

应用

IXXH100N60B3广泛应用于多种高功率电子系统中,特别是在需要高效能和高可靠性的场景下。
  首先,它常用于电源转换器和逆变器的设计中,例如在工业用变频驱动系统中,用于将直流电转换为交流电,以控制电机的速度和转矩。其高漏极电流和低导通电阻使其成为这些应用的理想选择。
  其次,该器件可用于不间断电源(UPS)系统中,作为核心的功率开关元件,确保在主电源中断时能够迅速切换到备用电源,维持电力供应的连续性。
  另外,IXXH100N60B3还适用于电动车充电器、太阳能逆变器以及储能系统等新能源领域。在这些应用中,该器件能够有效管理高电压和高电流的转换,提高系统的整体能效和稳定性。
  此外,该MOSFET还可用于工业自动化设备、高频开关电源以及各种高功率LED照明系统中,满足多样化的设计需求。

替代型号

IXFN100N60P, IRFP460LC, FDPF460-F085, STP100N6F6

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IXXH100N60B3参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列XPT™, GenX3™
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.8V @ 15V,70A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)210A
  • 功率 - 最大830W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3(TO-247AD)
  • 供应商设备封装TO-247AD
  • 包装管件