时间：2025/9/14 9:57:57
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PSMN8R0-40BS,118 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用Trench MOSFET技术，适用于高效能功率转换应用。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：20V
漏极电流（Id）：150A（最大）
导通电阻（Rds(on)）：8mΩ（典型值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerSO-10
PSMN8R0-40BS,118 具备低导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其Trench MOSFET技术确保了优异的开关性能和高电流处理能力，适用于高频开关应用。此外，该器件具有较高的热稳定性，可在恶劣环境下稳定运行。
该MOSFET采用先进的工艺制造，确保了其在高负载条件下的可靠性和耐用性。其封装设计优化了散热性能，适用于紧凑型高功率密度设计。PSMN8R0-40BS,118 还具备良好的栅极氧化层可靠性，确保了长期工作的稳定性。
该器件符合RoHS环保标准，适用于各种工业和汽车应用。其高雪崩能量能力增强了器件在瞬态条件下的稳定性，减少了因过压或过流导致的失效风险。
PSMN8R0-40BS,118 主要应用于高效DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制以及电池管理系统（BMS）等。此外，该器件也广泛用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统等，满足高可靠性和高效率的设计需求。
由于其低导通电阻和优异的开关特性，该MOSFET非常适合用于高频功率转换应用，例如电源供应器、逆变器和UPS系统。同时，其坚固的结构设计也使其适用于工业自动化控制、LED照明驱动以及太阳能逆变器等领域。
IPB045N04N、IRF1405、PSMN9R5-40YS
