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IXTY48P05T-TRL 发布时间 时间:2025/8/5 19:04:43 查看 阅读:10

IXTY48P05T-TRL 是一款由 IXYS 公司制造的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电流和高效率的功率应用。该器件采用了先进的平面 DMOS 技术,具有低导通电阻和高可靠性。它常用于电源转换器、DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统和工业自动化设备中。

参数

类型:功率MOSFET
  最大漏源电压(Vds):55V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):48A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为 0.022Ω
  封装类型:TO-252(D-Pak)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

IXTY48P05T-TRL 具有以下主要特性:
  首先,它的低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流下的低功率损耗,从而提高了系统的整体效率。该器件的 Rds(on) 典型值为 0.022Ω,最大值为 0.026Ω,能够在高温条件下保持稳定的性能。
  其次,该MOSFET具有高电流承载能力,最大连续漏极电流为 48A,适用于高功率密度的设计。其脉冲漏极电流能力也较高,可满足短时间高负载的应用需求。
  此外,IXTY48P05T-TRL 采用了 TO-252(D-Pak)封装,具有良好的热性能和机械稳定性,适用于表面贴装工艺,便于自动化生产和散热设计。
  该器件还具备良好的抗雪崩能力,能够在高能量开关应用中提供额外的保护,提高系统的可靠性。
  最后,其栅极驱动电压范围宽广(±20V),允许使用标准的栅极驱动电路,并具有较高的抗干扰能力。

应用

IXTY48P05T-TRL 被广泛应用于多个领域,包括:
  在电源管理系统中,如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关,其高效率和低导通电阻特性有助于提升电源转换效率。
  在工业控制领域,该MOSFET可用于电机驱动、伺服控制系统和工业自动化设备中的功率开关。
  在电池管理系统中,如电动工具、电动自行车和储能系统中,IXTY48P05T-TRL 可作为高边或低边开关使用,提供高效的能量传输和可靠的保护机制。
  此外,该器件也适用于电信电源、服务器电源和UPS(不间断电源)等高可靠性应用场景。

替代型号

IXTY48P05T, IXTY48P05N, IXP48N05S2

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IXTY48P05T-TRL参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥16.52982卷带(TR)
  • 系列TrenchP?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)50 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)48A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)30 毫欧 @ 24A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)53 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3660 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)150W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252AA
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63