IXTY1R6N50P 时间：2025/12/26 18:57:07 阅读：18

IXTY1R6N50P是一款由IXYS公司生产的高电压、大电流的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效能开关性能的电力电子系统中。该器件采用TO-247封装形式，具备优良的热传导性能和机械稳定性，适合在高温、高功率密度环境下工作。其设计目标是提供低导通电阻、快速开关速度以及高可靠性，适用于工业控制、电源转换、电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和焊接设备等多种高要求应用场景。该MOSFET具有增强型工作模式，即在栅极施加正向电压时导通，适用于直流到中频范围内的开关操作。其结构优化了电场分布，提升了雪崩耐受能力和dv/dt抗扰度，从而增强了在恶劣电气环境下的运行稳定性。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，支持绿色环保制造流程。由于其高击穿电压与较大连续漏极电流能力，IXTY1R6N50P常被用于串联或并联配置以满足更高功率等级的设计需求。

参数

型号：IXTY1R6N50P
　　制造商：IXYS
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500 V
　　漏极电流（Id）@25°C：160 A
　　漏极电流（Id）@100°C：80 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：640 A
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　功耗（Pd）：625 W
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：16 mΩ 最大值
　　阈值电压（Vgs(th)）：4.0 ~ 7.0 V
　　输入电容（Ciss）：13000 pF 典型值
　　输出电容（Coss）：1000 pF 典型值
　　反向恢复时间（trr）：65 ns 典型值
　　工作结温范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：TO-247AC

特性

IXTY1R6N50P具备出色的电气与热性能，能够在高电压和大电流条件下稳定运行。其最大漏源击穿电压高达500V，能够承受瞬态过压冲击，适用于高压直流母线系统中的主开关元件。该器件的低导通电阻特性（典型值低于16mΩ）显著降低了导通损耗，提高了整体系统的能效，尤其在大电流应用中优势明显。这使得它非常适合用于高频DC-DC转换器、大功率开关电源和逆变器拓扑结构中。
　　该MOSFET采用了先进的平面垂直DMOS技术，确保了良好的载流子迁移率和均匀的电流分布，有效减少了热点形成的风险，从而提升器件的长期可靠性。同时，其栅极结构经过优化设计，具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少驱动电路的能量消耗，并加快开关速度，降低开关损耗。这对于提高电源系统的频率响应和动态性能至关重要。
　　在安全性和鲁棒性方面，IXTY1R6N50P具备较强的雪崩能量承受能力（EAS），可在发生感性负载关断或短路故障时吸收一定的能量而不损坏。这一特性对于电机驱动和电磁负载切换等场景尤为重要。此外，器件内部的体二极管也具备较快的反向恢复时间（约65ns），可有效抑制换流过程中的电压尖峰，减少电磁干扰（EMI）问题。
　　TO-247封装提供了优异的散热性能，允许通过外部散热器将热量迅速导出，从而维持较低的工作结温。这种封装还具备较高的绝缘强度和机械强度，便于安装在PCB或模块化组件中。综合来看，IXTY1R6N50P是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于各种严苛工况下的电力控制与能量转换任务。

应用

IXTY1R6N50P广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于工业用大功率开关电源（SMPS），其中作为主开关管用于升压、降压或半桥/全桥拓扑结构，实现高效的能量转换。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流侧斩波或交流侧H桥驱动，将太阳能板产生的直流电高效转换为交流电并入电网。在电机驱动领域，特别是交流变频器和伺服控制系统中，IXTY1R6N50P可作为功率级开关元件，提供快速响应和精确控制能力。
　　此外，该MOSFET也常见于不间断电源（UPS）系统中，用于双变换架构中的逆变级和整流级切换控制，保障关键负载的持续供电。在电焊机设备中，其高电流承载能力和快速开关特性使其适用于脉冲弧焊和MIG/MAG焊接电源的主功率回路。其他应用还包括高压直流配电系统、电动汽车充电模块、感应加热装置以及大型LED照明驱动电源等。
　　由于其高耐压、大电流和良好热管理能力，IXTY1R6N50P也被用于实验性电源项目、高能物理设备和军工类高可靠性电源模块中。无论是在连续满负荷运行还是间歇高峰值负载条件下，该器件均表现出卓越的稳定性与耐用性，因此成为工程师在设计高效率、高功率密度电源系统时的重要选择之一。