H9TQ17ABJTMC 时间：2025/9/1 17:09:33 阅读：5

H9TQ17ABJTMC是现代（Hynix）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动LPDDR4系列。该芯片设计用于移动设备，如智能手机、平板电脑以及需要高带宽和低功耗的嵌入式系统。它采用了先进的制造工艺和低电压设计，以满足现代便携式设备对性能和能效的双重需求。

参数

类型：DRAM
　　子类型：LPDDR4
　　容量：1GB（具体以型号后缀为准）
　　封装形式：BGA
　　工作电压：1.1V（核心电压），1.8V（I/O）
　　数据速率：最高可达3200Mbps
　　数据总线宽度：x16或x32
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装尺寸：根据具体封装形式而定

特性

H9TQ17ABJTMC具有多项先进的技术特性，使其适用于高性能移动设备。其LPDDR4架构提供了更高的数据传输速率和更低的功耗，支持设备在高负载任务下仍保持较长的电池续航。该芯片采用双倍数据速率（DDR）技术，在每个时钟周期内传输两次数据，从而显著提升内存带宽。
　　此外，H9TQ17ABJTMC支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式和自刷新模式，有助于延长设备电池寿命。其内部时钟同步机制确保了数据传输的稳定性和时序精度，适用于高频率操作环境。
　　在封装方面，H9TQ17ABJTMC采用小型化的BGA封装形式，节省了PCB空间，同时提高了信号完整性和散热性能，适合紧凑型移动设备的设计需求。该芯片还支持多种错误检测和校正机制，确保数据传输的可靠性。

应用

H9TQ17ABJTMC广泛应用于各类高性能移动设备中，如智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、智能穿戴设备等。此外，它也适用于需要高带宽内存的嵌入式系统、车载信息娱乐系统（IVI）、工业控制设备以及高性能计算模块（如单板计算机和模块化系统）。其低功耗与高带宽特性使其成为多媒体处理、图形渲染、多任务处理等应用场景的理想选择。