容量：256Kbit（16K x 16）
　　电源电压：3.3V 或 5V（根据具体版本）
　　访问时间：10ns / 12ns / 15ns（不同版本）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）或商业级（0°C 至 +70°C）
　　数据输入/输出方式：并行
　　封装引脚数：54引脚

HM51W16160TT具有高性能和低功耗的双重优势，其高速访问时间可支持高达10ns的读写速度，满足对实时性要求较高的应用场景。芯片内部采用先进的CMOS工艺，不仅提升了稳定性，还降低了功耗，适用于便携式设备和嵌入式系统。
　　此外，该SRAM芯片具备宽电压工作范围，通常支持3.3V或5V供电，提高了其在不同系统设计中的兼容性。封装方面采用TSOP封装形式，具有较小的体积和良好的散热性能，适合高密度电路板布局。
　　在工作温度范围方面，HM51W16160TT通常提供工业级和商业级两种版本，适用于从消费电子到工业控制等多种环境条件。该芯片还具备高可靠性，经过严格的测试和验证，确保在恶劣环境下的稳定运行。

HM51W16160TT广泛应用于各种需要高速缓存和临时数据存储的电子系统中。例如，在嵌入式系统中，它常用于缓存数据和程序代码，以提升系统运行效率；在工业控制系统中，该芯片可用于实时数据处理和缓冲存储。
　　此外，HM51W16160TT也适用于网络设备和通信模块，如路由器、交换机和无线基站，用于高速数据缓冲和临时存储。其高可靠性和稳定性使其在汽车电子系统中也有应用，如车载导航系统和车载娱乐系统。
　　在消费类电子产品中，该芯片可用于数字电视、机顶盒、数码相机等设备中的高速缓存需求。同时，它也可用于测试测量仪器、医疗设备和自动售货机等需要稳定和快速数据处理能力的设备中。

CY7C1616KV18-10B, IDT71V1216SA10PFG, IS61LV25616-10B