时间：2025/8/5 20:45:31
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IXTY1R4N120P-TRL 是由 IXYS 公司生产的一款高电压、高电流能力的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-247 封装形式，适用于高功率开关应用，具有低导通电阻、高耐压和高可靠性等特点。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大漏极电流(Id)：1.4A（连续）
最大栅源电压(Vgs)：±30V
导通电阻(Rds(on))：最大2.2Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
IXTY1R4N120P-TRL 是一款专为高压应用设计的功率 MOSFET，具有以下显著特性：
首先，该器件的最大漏源电压可达 1200V，使其适用于高压直流电源、工业电机控制、电焊机、等离子切割机等高压高功率场合。
其次，该 MOSFET 的最大漏极电流为 1.4A，虽然电流能力不是特别大，但由于其高压特性，仍然适合在需要较高电压但电流需求适中的电路中使用，如高压开关电源、功率因数校正（PFC）电路等。
该器件的导通电阻 Rds(on) 最大为 2.2Ω，在同类高压 MOSFET 中属于较低水平，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
此外，该 MOSFET 采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能和机械强度，适合在工业级环境中使用。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，表现出良好的温度稳定性和可靠性。
最后，该器件的栅极驱动电压范围较宽，可支持 ±30V 的最大栅源电压，提高了驱动电路设计的灵活性，同时具备较强的抗干扰能力。
IXTY1R4N120P-TRL 主要适用于以下应用场景：
首先，在高压开关电源中，该 MOSFET 可作为主功率开关，用于控制能量从输入端传输到输出端，其高压耐受能力和低导通电阻有助于提升整体效率。
其次，在功率因数校正（PFC）电路中，该器件可用于高频开关操作，帮助提高输入电源的功率因数，减少谐波污染。
最后，由于其良好的温度特性和可靠性，IXTY1R4N120P-TRL 也可用于各种需要长期稳定运行的高压电源系统，如通信电源、不间断电源（UPS）等。
IXTY1R4N120P, IXYQ1R4N120P, IXFN1R4N120P
