容量：512KB
　　组织结构：16位 x 32K
　　电压：3.3V
　　访问时间：50ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　数据宽度：16位
　　存储单元数量：32K x 16
　　工艺技术：CMOS
　　时钟频率：无同步时钟（异步DRAM）

HY512264TC-50 属于扩展数据输出（EDO）DRAM技术，与传统的FPM DRAM相比，具有更高的数据访问效率。EDO技术允许在下一个地址周期开始前继续输出当前数据，从而减少了等待时间，提高了整体系统性能。
　　该芯片采用CMOS工艺制造，具有较低的功耗特性，适合对能耗敏感的应用场景。其3.3V电源供电设计也使其具备较好的稳定性与兼容性，适用于多种主板和嵌入式平台。
　　HY512264TC-50 使用TSOP封装形式，体积较小，便于在高密度PCB板上布局，同时也有助于降低电磁干扰（EMI），提高信号完整性。此外，该芯片支持标准的异步控制信号接口，方便与各种控制器连接。
　　该芯片的工作温度范围为商业级（0°C 至 70°C），适用于大多数非极端环境下的工业和消费类电子产品。

HY512264TC-50 主要用于早期的个人计算机（如386、486、早期Pentium系统）作为主存储器模块的组成部分。它也广泛应用于嵌入式控制系统、工业自动化设备、通信模块以及老式工控机中，作为临时数据存储和程序执行的载体。
　　由于其异步接口设计和EDO特性，该芯片适合用于需要中等容量内存但对成本和功耗有要求的系统中。例如，在老式打印机、传真机、POS终端、测量仪器等设备中，HY512264TC-50 都曾是常见的存储解决方案。
　　在现代应用中，虽然该芯片已经被更高密度和更低功耗的SDRAM、DDR SDRAM等取代，但在维修、替换老旧设备或复古计算项目中仍然具有一定的使用价值。

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