TE28F160S3-75 时间：2025/10/29 10:24:24 阅读：23

TE28F160S3-75是一款由Intel公司生产的16兆位（Mbit）的闪存（Flash Memory）芯片，属于Intel StrataFlash?架构系列中的单电源供电器件。该芯片采用先进的多级单元（MLC）技术，能够在每个存储单元中存储多个数据位，从而在不增加物理尺寸的情况下提高存储密度。TE28F160S3-75广泛应用于需要高可靠性、非易失性存储的嵌入式系统中，例如工业控制设备、网络通信设备、医疗仪器以及汽车电子系统等。该器件支持页模式读取和块擦除操作，具备较高的编程和擦除耐久性，适合频繁更新数据的应用场景。其封装形式通常为TSOP（Thin Small Outline Package），便于在空间受限的PCB设计中使用。此外，该芯片还集成了内部状态机，能够自动执行编程和擦除操作，减轻主机处理器的负担，并通过命令用户接口（Command User Interface）实现对芯片的全面控制。由于其出色的性能和稳定性，TE28F160S3-75成为许多高端嵌入式系统的首选存储解决方案之一。

参数

容量：16 Mbit (2 MB)
　　组织结构：1 x 16位字宽
　　工作电压：2.7 V 至 3.6 V
　　访问时间：75 ns
　　封装类型：TSOP-48
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　写保护功能：硬件写保护引脚支持
　　擦除区块大小：每区块32 KB 和 8 KB
　　编程电压：单电源供电，内部电荷泵生成编程电压
　　待机电流：典型值为 100 μA
　　编程/擦除耐久性：100,000 次循环
　　数据保持时间：10 年以上

特性

TE28F160S3-75采用Intel专有的StrataFlash技术，这是一种结合了NOR Flash高速随机访问能力和多级存储特性的创新架构。这种技术使得该芯片在保持传统NOR Flash快速启动和直接执行代码（XIP, eXecute In Place）能力的同时，显著提升了存储密度并降低了单位比特成本。每个存储单元可存储多位信息，通过精确控制浮栅晶体管的阈值电压来区分不同的数据状态，从而实现更高的数据存储效率。为了确保数据完整性，器件内部集成了智能算法用于误差检测与纠正（ECC），可在读取过程中自动识别和修正位错误，提升系统的长期可靠性。此外，该芯片支持多种低功耗模式，包括待机模式和深度掉电模式，能够在系统空闲时大幅降低功耗，适用于对能效要求较高的便携式或远程部署设备。
　　在操作方面，TE28F160S3-75提供了丰富的命令集，可通过标准的异步总线接口进行访问。其内置的状态机能够自动管理复杂的编程和擦除流程，用户只需发送相应的指令即可完成操作，无需手动控制时序细节，极大简化了软件开发难度。芯片还具备硬件写保护功能，防止在上电、掉电或系统异常期间发生误写入或误擦除，保障关键固件的安全性。地址和数据总线采用复用或非复用方式连接，兼容广泛的微控制器和微处理器接口标准。同时，该器件支持全局擦除和按扇区擦除两种模式，允许灵活的数据管理策略，满足不同应用场景下的更新需求。

应用

TE28F160S3-75因其高性能、高可靠性和宽温工作能力，被广泛应用于多种工业和通信领域。在工业自动化控制系统中，它常用于存储固件程序、配置参数和运行日志，支持设备在现场环境中长时间稳定运行。在网络通信设备如路由器、交换机和基站模块中，该芯片用于存放引导加载程序（Bootloader）和操作系统映像，利用其快速随机读取特性实现系统的迅速启动。在汽车电子系统中，包括仪表盘控制单元、车载信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统（ADAS），该器件提供可靠的非易失性存储，适应车辆在极端温度条件下的运行需求。此外，在医疗监测设备和测试仪器中，TE28F160S3-75用于保存校准数据和患者记录，确保数据在断电后不会丢失。由于其支持XIP功能，处理器可以直接从该芯片执行代码，避免将程序加载到RAM中，节省内存资源并加快响应速度。因此，该芯片特别适合对启动时间和系统稳定性有严格要求的嵌入式应用。