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IXTX170P10P 发布时间 时间:2025/8/6 6:31:25 查看 阅读:16

IXTX170P10P 是一款由 Littelfuse(前身为 IXYS)制造的 P 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款晶体管设计用于高功率开关应用,具有低导通电阻、高电流承载能力和出色的热稳定性。IXTX170P10P 特别适用于需要高效能和高可靠性的工业和汽车电子系统。

参数

类型:P 沟道 MOSFET
  漏源电压 Vds:-100V
  栅源电压 Vgs:±20V
  连续漏极电流 Id:-170A
  导通电阻 Rds(on):≤3.5mΩ @ Vgs = -10V
  功耗(Pd):400W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-247AC
  技术:MOSFET
  极性:P 沟道

特性

IXTX170P10P 的主要特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),这使得该器件在导通状态下能够保持较低的功率损耗,从而提高整体系统效率。其最大导通电阻为 3.5mΩ,在高电流应用中表现尤为出色。此外,该器件能够承受高达 -170A 的连续漏极电流,并具有良好的热管理性能,能够在高温环境下稳定运行。
  该 MOSFET 采用 TO-247AC 封装,便于安装和散热,适用于高功率密度设计。其栅极驱动电压范围为 ±20V,通常在 -10V 时实现最佳导通性能。由于其高耐压能力(Vds 为 -100V),IXTX170P10P 可以用于多种中高电压电源转换系统。
  此外,该器件具备良好的雪崩能量耐受能力,提高了在过压或瞬态条件下的可靠性。其封装设计和内部结构优化,确保了较低的热阻(Rth),从而增强了散热能力。这些特性使得 IXTX170P10P 成为需要高可靠性和高性能的电源管理应用的理想选择。

应用

IXTX170P10P 被广泛应用于各种高功率电子系统中,包括但不限于电源转换器、DC-DC 转换器、电机控制器、电池管理系统(BMS)、不间断电源(UPS)和工业自动化设备。它也常用于汽车电子系统,如电动车辆(EV)和混合动力车辆(HEV)中的高压电源管理系统。此外,该器件还可用于太阳能逆变器、储能系统以及高功率 LED 照明驱动电路。由于其优异的导通特性和高电流容量,IXTX170P10P 也适用于需要快速开关和高效能的同步整流电路中。

替代型号

IXTP170P10P, IXTS170P10P, IRF6785PBF, STP170P10F7AG

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IXTX170P10P参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PolarP™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C170A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs240nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds12600pF @ 25V
  • 功率 - 最大890W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PLUS247?-3
  • 包装管件