时间：2025/7/4 4:35:49
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HH15N471J160CT 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，适用于多种电源管理和功率转换应用。其封装形式为 TO-220，能够承受较高的电流和电压，同时具备良好的散热性能。
HH15N471J160CT 主要用于需要高效率和高可靠性的场合，例如开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等。它通过优化的芯片设计实现了低损耗和高耐受能力，非常适合工业和消费类电子领域。
最大漏源电压：470V
连续漏极电流：16A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：35nC
开关时间：开启延迟时间 95ns，关断下降时间 32ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
HH15N471J160CT 的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力，最大漏源电压可达 470V，适合高压应用环境。
2. 较低的导通电阻（0.18Ω），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度，栅极电荷仅为 35nC，能够有效降低开关损耗。
4. 支持大电流操作，连续漏极电流可达 16A，满足高功率需求。
5. 宽温度范围适应性，能够在 -55℃ 至 +150℃ 的极端条件下正常工作。
6. 采用 TO-220 封装，便于安装和散热管理。
HH15N471J160CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，作为主功率开关元件。
2. DC-DC 转换器中的功率开关，实现高效能量转换。
3. 各种类型的电机驱动电路，提供精确的电流控制。
4. 电池充电管理系统，确保稳定的充放电过程。
5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
6. 消费电子产品中的电源管理单元。
IRFZ44N, STP16NF47, FQP16N47
