时间：2025/8/6 4:16:46
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IXTV72N30T 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效率、高可靠性和高电流承载能力的功率电子设备。该器件采用 TO-247 封装，具有低导通电阻和良好的热性能，适合用于开关电源、电机控制、逆变器、焊接设备和工业自动化系统等高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：300V
最大漏极电流(Id)：72A
导通电阻(Rds(on))：最大值 30mΩ
栅极电压(Vgs)：±20V
功耗(Pd)：250W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-247
IXTV72N30T 的主要特性包括极低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。其高电流承载能力和耐高压能力使其适用于各种高功率密度设计。该器件采用先进的沟槽栅技术，提供良好的开关性能，减少开关损耗。此外，TO-247 封装提供了良好的散热性能，能够在高温环境下稳定工作。
该MOSFET具有优异的雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态过压情况下的可靠性。其快速恢复体二极管特性也使其适用于需要反向恢复性能的应用，如同步整流和电机驱动。此外，IXTV72N30T 具有较高的短路耐受能力，可在突发故障情况下提供更长的保护时间，从而提高系统的整体稳定性。
IXTV72N30T 常用于高功率开关应用，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、焊接设备、工业自动化系统以及高功率LED照明驱动电路。由于其高效率和高可靠性，它也广泛应用于新能源系统，如太阳能逆变器和电动汽车充电设备。
IXFH72N30T, IXFN72N30T, IRFP4668, SPW47N60CFD
