时间：2025/8/6 6:15:40
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IXTV250N075TS是一款由Littelfuse公司生产的高电流、高效率的N沟道MOSFET晶体管，专为高功率应用设计。该晶体管采用了先进的沟槽式功率MOSFET技术，具有较低的导通电阻和高效的热管理能力。其主要特点是高电流容量、低导通损耗和高可靠性，适用于需要高效率和高稳定性的应用场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：75V
最大漏极电流（Id）：250A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为2.2mΩ
封装类型：TO-263（D2Pak）
工作温度范围：-55°C至175°C
栅极电压（Vgs）：±20V
最大功耗（Pd）：320W
IXTV250N075TS具有多项优异的特性，首先是其极低的导通电阻，能够显著降低导通损耗，提高整体效率。该器件采用了先进的沟槽技术，优化了载流子的分布，从而在高电流下仍能保持稳定的性能。
其次，该MOSFET具有高电流处理能力，能够在极端工作条件下保持可靠性，适合需要高功率密度的应用。其高热稳定性和优异的散热能力确保了在高负载情况下的长期稳定运行。
此外，IXTV250N075TS的封装设计考虑了热管理和机械强度的需求，TO-263封装不仅提供了良好的散热性能，还具备较高的机械耐久性，能够在严苛的环境中可靠工作。
最后，该器件的栅极驱动设计优化，使其在高频开关应用中表现优异，适用于需要快速开关的电源转换系统。
IXTV250N075TS广泛应用于高功率直流-直流转换器、电机驱动、电池管理系统、工业自动化设备、电动工具和电源管理模块等场景。由于其高电流容量和低导通电阻，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源系统，如电动汽车的充电模块、太阳能逆变器和工业电机控制器。
在电机驱动应用中，IXTV250N075TS能够提供稳定的高电流输出，确保电机运行的平稳性和效率。在电池管理系统中，该MOSFET可用于高精度的充放电控制，延长电池寿命并提高系统的安全性。
此外，该器件还可用于高性能的电源适配器和不间断电源（UPS）系统，满足对高效能和紧凑设计的双重需求。
IXTV250N075T4, IXTH250N075T4, IXTH250N075TS
