类型：齐纳二极管（Zener Diode）
　　封装：SOD-123
　　标称稳压电压（Vz）：3.3V
　　测试电流（Iz）：20mA
　　最大耗散功率（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　最大反向漏电流（Ir）：100nA（在额定电压下的最大值）
　　最大动态阻抗（Zzt）：90Ω（在Iz=20mA时）

MMSZ5226B-3V3具有多项优良特性，使其在低电压稳压应用中表现出色。首先，其3.3V的标称稳压电压非常适合用于现代数字电路和低电压微处理器的参考电压源，确保系统的稳定性和可靠性。其次，该器件采用了先进的硅扩散技术，具备良好的电压精度和温度稳定性，能够在不同环境条件下维持稳定的输出电压。
　　其SOD-123小型表面贴装封装不仅节省空间，而且便于自动化装配，适用于高密度PCB布局。此外，MMSZ5226B-3V3的最大功耗为300mW，能够在较高的电流条件下工作，具备较强的负载能力。其动态阻抗较低，确保在负载变化时仍能保持良好的电压稳定性。
　　该齐纳二极管还具备较低的反向漏电流（最大100nA），在非导通状态下对系统功耗影响极小，适用于对功耗敏感的便携式设备。其宽广的工作温度范围（-55°C至+150°C）也确保了其在极端环境下的稳定运行，如汽车电子、工业控制系统等应用场景。

MMSZ5226B-3V3广泛应用于需要3.3V稳压参考的各种电子系统中。常见的应用包括电源管理系统中的电压基准源、电池供电设备中的电压监测电路、ADC/DAC参考电压源、过压保护电路、逻辑电平转换电路以及各种嵌入式系统的稳压需求。此外，该器件也常用于电压调节模块、通信设备、传感器接口电路、工业控制设备、汽车电子系统以及消费类电子产品中，作为关键的电压稳定元件。

MMSZ5226BS-TP, MMSZ5226B-TR, MMSZ5226B-3.3V, MMSZ5226B-3V3-7, 1N4728A, BZX84C3V3