时间：2025/8/6 4:02:59
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IXTU5N50P是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司制造。该器件设计用于高功率应用，具有低导通电阻和高耐压能力，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载管理等多种电子系统。IXTU5N50P采用TO-220封装，便于散热并确保在高功率条件下的稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：5A
导通电阻（RDS(on)）：约1.5Ω（最大值）
功耗（PD）：83W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
IXTU5N50P具备多项优异特性，适用于高要求的功率电子应用。首先，其500V的漏源电压额定值使其能够在高电压环境中稳定工作，适用于工业电源、逆变器和马达驱动器等场景。其次，5A的连续漏极电流能力，配合1.5Ω的最大导通电阻，能够在导通状态下保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。此外，该器件的封装形式为TO-220，具备良好的热管理和散热能力，适合长时间高功率运行。该MOSFET还具有快速开关特性，减少开关损耗，适用于高频开关应用。其栅极驱动电压范围宽，支持标准逻辑电平驱动，增强了与各类驱动电路的兼容性。
IXTU5N50P广泛应用于各类需要高电压和中等电流控制的功率电子系统。典型应用包括AC-DC和DC-DC转换器、电机控制模块、工业自动化设备、不间断电源（UPS）、LED照明驱动器以及电池管理系统。在汽车电子中，该器件可用于车载充电器和电动工具驱动电路。此外，IXTU5N50P也适用于太阳能逆变器、电源管理模块以及各种高电压开关电路。
IRF540N, STP5NK50Z, FDP5N50
