IXTU5N50P是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由IXYS公司制造。该器件设计用于高功率应用,具有低导通电阻和高耐压能力,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载管理等多种电子系统。IXTU5N50P采用TO-220封装,便于散热并确保在高功率条件下的稳定运行。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):500V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):5A
导通电阻(RDS(on)):约1.5Ω(最大值)
功耗(PD):83W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
IXTU5N50P具备多项优异特性,适用于高要求的功率电子应用。首先,其500V的漏源电压额定值使其能够在高电压环境中稳定工作,适用于工业电源、逆变器和马达驱动器等场景。其次,5A的连续漏极电流能力,配合1.5Ω的最大导通电阻,能够在导通状态下保持较低的功率损耗,从而提高整体系统的效率。此外,该器件的封装形式为TO-220,具备良好的热管理和散热能力,适合长时间高功率运行。该MOSFET还具有快速开关特性,减少开关损耗,适用于高频开关应用。其栅极驱动电压范围宽,支持标准逻辑电平驱动,增强了与各类驱动电路的兼容性。
IXTU5N50P广泛应用于各类需要高电压和中等电流控制的功率电子系统。典型应用包括AC-DC和DC-DC转换器、电机控制模块、工业自动化设备、不间断电源(UPS)、LED照明驱动器以及电池管理系统。在汽车电子中,该器件可用于车载充电器和电动工具驱动电路。此外,IXTU5N50P也适用于太阳能逆变器、电源管理模块以及各种高电压开关电路。
IRF540N, STP5NK50Z, FDP5N50