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IXTU5N50P 发布时间 时间:2025/8/6 4:02:59 查看 阅读:28

IXTU5N50P是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由IXYS公司制造。该器件设计用于高功率应用,具有低导通电阻和高耐压能力,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载管理等多种电子系统。IXTU5N50P采用TO-220封装,便于散热并确保在高功率条件下的稳定运行。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):500V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):5A
  导通电阻(RDS(on)):约1.5Ω(最大值)
  功耗(PD):83W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-220

特性

IXTU5N50P具备多项优异特性,适用于高要求的功率电子应用。首先,其500V的漏源电压额定值使其能够在高电压环境中稳定工作,适用于工业电源、逆变器和马达驱动器等场景。其次,5A的连续漏极电流能力,配合1.5Ω的最大导通电阻,能够在导通状态下保持较低的功率损耗,从而提高整体系统的效率。此外,该器件的封装形式为TO-220,具备良好的热管理和散热能力,适合长时间高功率运行。该MOSFET还具有快速开关特性,减少开关损耗,适用于高频开关应用。其栅极驱动电压范围宽,支持标准逻辑电平驱动,增强了与各类驱动电路的兼容性。

应用

IXTU5N50P广泛应用于各类需要高电压和中等电流控制的功率电子系统。典型应用包括AC-DC和DC-DC转换器、电机控制模块、工业自动化设备、不间断电源(UPS)、LED照明驱动器以及电池管理系统。在汽车电子中,该器件可用于车载充电器和电动工具驱动电路。此外,IXTU5N50P也适用于太阳能逆变器、电源管理模块以及各种高电压开关电路。

替代型号

IRF540N, STP5NK50Z, FDP5N50

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IXTU5N50P参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PolarHV™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.4 欧姆 @ 2.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12.6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds620pF @ 25V
  • 功率 - 最大89W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252,(D-Pak)
  • 包装管件