IXTT75N20L2 时间：2025/8/6 4:56:44 阅读：20

IXTT75N20L2 是一款由 IXYS 公司制造的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于各种高功率密度的设计。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：75A
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 14.8mΩ
　　栅极电荷（Qg）：典型值 95nC
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXTT75N20L2 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。该器件的高电流处理能力使其能够在大功率应用中稳定工作，而不会出现过热或性能下降的问题。
　　另一个重要特性是其高耐压能力，最大漏源电压达到 200V，使其能够在高压环境下可靠运行。此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性，能够在 -55°C 至 175°C 的宽温度范围内正常工作，适应各种恶劣的工作环境。
　　该器件还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高开关频率，从而实现更高的功率密度和更小的外围元件尺寸。TO-247 封装设计提供了良好的散热性能，确保在高功率应用中保持稳定的温度控制。

应用

IXTT75N20L2 被广泛应用于各种高性能电源管理系统中，例如 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及工业自动化设备。其高效率和高可靠性使其成为设计高功率密度电源的理想选择，特别是在需要高效能和高稳定性的场合，如电动汽车充电系统和工业电源模块中也得到了广泛应用。