容量：256 Mbit
　　组织结构：32MB（x8/x16）
　　电源电压：2.7V - 3.6V
　　访问时间：55ns（最大）
　　封装类型：48-TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行
　　读取电流：10mA（典型值）
　　待机电流：10μA（最大）
　　编程/擦除电压：内部电荷泵

HN29W256AH03TE-1 是一款高性能 NOR 闪存芯片，具备多项优异特性。其 256 Mbit 容量可满足大多数嵌入式应用的需求，支持 x8 或 x16 两种数据总线模式，提供了灵活的系统设计选项。该器件的访问时间低至 55ns，能够支持高速处理器直接从闪存中执行代码（XIP, Execute In Place），从而提高系统响应速度并降低系统复杂性。
　　在电源管理方面，HN29W256AH03TE-1 支持宽电压范围（2.7V 至 3.6V），使其适用于多种电源环境，并具备低功耗待机模式，典型待机电流仅为 10μA，非常适合对功耗敏感的应用。此外，该芯片内置电荷泵电路，可提供内部编程和擦除所需的高压，无需外部高压电源，简化了系统设计。
　　该芯片的封装形式为 48-TSOP，具备良好的热性能和机械稳定性，适用于紧凑型 PCB 设计。它的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，符合工业级和汽车级应用的要求，能够在恶劣环境中稳定运行。
　　HN29W256AH03TE-1 支持快速扇区擦除和页编程功能，提高了数据更新效率。每个扇区可独立擦除，增强了数据管理的灵活性。同时，该芯片具备高可靠性，擦写次数可达 100,000 次以上，数据保存时间长达 10 年以上，适用于需要频繁更新和长期存储的应用场景。

HN29W256AH03TE-1 主要用于需要高性能、高可靠性和低功耗的嵌入式系统中，如工业控制系统、自动化设备、车载导航系统、智能仪表、通信模块和消费类电子设备。其高速读取能力和 XIP 功能使其特别适合用于存储启动代码和关键系统数据。

S29GL256S11TFIV40, M29W256GH5ANB4C