时间：2025/8/6 6:46:46
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IXTT74N20P是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET晶体管，主要用于高电流和高电压的开关应用。这款晶体管采用TO-247封装，具有低导通电阻、高开关速度和高耐用性等特点。IXTT74N20P适用于各种工业控制设备、电源转换系统以及电机驱动设备。
型号: IXTT74N20P
类型: N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds): 200V
最大漏极电流(Id): 74A
漏源导通电阻(Rds(on)): 0.034Ω
栅极电荷(Qg): 140nC
工作温度范围: -55°C至150°C
封装类型: TO-247
IXTT74N20P的主要特性包括高性能的导通和开关能力、极低的导通电阻以及强大的热稳定性。其低导通电阻使得该器件在高电流应用中能够保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，IXTT74N20P具有快速的开关速度，可以支持高频操作，适用于需要快速响应的电源转换和电机控制应用。该器件的封装设计能够有效散热，确保在高负载条件下仍能稳定运行。此外，IXTT74N20P还具有较高的耐用性和可靠性，适用于各种严苛环境下的工业设备。
IXTT74N20P广泛应用于工业电源、电机驱动器、逆变器、UPS系统、电池充电器以及各类高功率开关电源设备。它特别适合需要高效能和高稳定性的电力电子系统，如电动汽车充电设备和太阳能逆变器。
IXTT74N20P的替代型号包括IXTT74N20A、IXTT74N20MH、IXTT74N20P2等。
