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IXTT72N20 发布时间 时间:2025/8/6 0:18:24 查看 阅读:26

IXTT72N20 是一款由 Littelfuse(原 International Rectifier)制造的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高功率密度和高效率的应用,具有低导通电阻、高耐压和高电流能力。IXTT72N20 采用先进的沟槽技术,提供出色的热性能和可靠性,适用于电源管理、电机控制、电池管理系统和工业自动化等领域。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏极电流 (ID):72A
  最大漏源电压 (VDS):200V
  导通电阻 (RDS(on)):典型值 10mΩ,最大值 13mΩ
  栅极电荷 (Qg):典型值 120nC
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247AC
  功率耗散 (PD):310W

特性

IXTT72N20 的主要特性之一是其低导通电阻,RDS(on) 典型值为 10mΩ,能够在高电流条件下保持较低的导通损耗,从而提高系统的整体效率。这种低电阻特性使其非常适合用于高功率开关应用,例如 DC-DC 转换器、逆变器和电机驱动器。
  此外,该器件的最大漏源电压为 200V,最大漏极电流为 72A,具备较强的电流承载能力和电压耐受能力。结合其 310W 的功率耗散能力,IXTT72N20 能够在高温环境下稳定运行,适用于需要高可靠性和高稳定性的工业级应用。
  该 MOSFET 还具有较低的栅极电荷(Qg),典型值为 120nC,有助于减少开关损耗并提高开关频率。这使其在高频开关应用中表现优异,适用于现代高效电源系统的设计。
  IXTT72N20 采用 TO-247AC 封装,具备良好的热管理和散热能力,能够有效降低工作温度,延长器件寿命。其宽工作温度范围(-55°C 至 +175°C)也使其适用于极端环境条件下的应用,如汽车电子、工业自动化和可再生能源系统。

应用

IXTT72N20 主要用于高功率和高效率的电子系统中,典型应用包括电源管理模块、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备中的功率开关电路。
  在电源管理领域,该器件可用于构建高效的开关电源(SMPS),提供稳定的电压转换和高能效表现。在电机控制应用中,IXTT72N20 可用于 H 桥电路,实现电机的双向控制和高效运行。
  此外,该 MOSFET 还适用于可再生能源系统,如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率调节模块,帮助提高能量转换效率。在汽车电子中,它可用于车载充电器(OBC)和电池管理系统,提供可靠的功率控制和保护功能。

替代型号

IXFN72N20、IXTT72N20XV、IXTT72N20A、IXTT72N20PBF

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IXTT72N20参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C72A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C33 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs170nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4400pF @ 25V
  • 功率 - 最大400W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装管件