IXTT52N30P 时间：2025/8/6 7:56:52 阅读：20

IXTT52N30P是一款由Littelfuse（前身为IXYS）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于高功率开关应用，具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性。其主要设计用于工业电源、电机控制、DC-DC转换器和各种高功率电子系统。该MOSFET采用TO-247封装，具有良好的散热性能，适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：300V
　　漏极电流(ID)：52A（连续）
　　导通电阻(RDS(on))：0.065Ω（最大）
　　栅极电压(VGS)：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXTT52N30P具备多项优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其300V的漏源电压额定值使其适用于中高功率的DC-DC转换器、工业电源和电机控制电路。其次，该MOSFET的导通电阻仅为0.065Ω，显著降低了导通损耗，从而提高了系统效率并减少了散热需求。
　　该器件的漏极电流额定值为52A，能够在高负载条件下稳定运行，适用于要求高电流能力的功率电子设备。此外，其±20V的栅极电压额定值提供了良好的栅极驱动兼容性，支持多种驱动电路设计。
　　IXTT52N30P采用了TO-247封装，具备优良的散热能力和机械稳定性，适用于高功率密度和高温工作环境。其封装设计也有助于提高器件的热管理和长期可靠性。

应用

IXTT52N30P广泛应用于多个高功率电子领域。其中包括工业电源、不间断电源（UPS）、DC-DC转换器、太阳能逆变器、电机驱动和功率因数校正（PFC）电路。由于其高电流能力和低导通电阻，该MOSFET特别适用于需要高效能和高可靠性的开关电源系统。
　　在电机控制应用中，该器件可以用于驱动直流电机、无刷直流电机（BLDC）以及伺服电机，提供快速响应和高效的功率控制。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，IXTT52N30P也表现出色，能够有效提升系统的整体能效。