类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：28A
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.19Ω（最大）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：4V（典型值）
　　最大功耗（PD）：320W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247AC

IXTT28N50Q 具有低导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其先进的沟槽技术确保了良好的热稳定性和长期可靠性。该 MOSFET 的高电流承载能力和耐高压特性使其适用于高功率密度设计。此外，它具备快速的开关速度，有助于减少开关损耗，提高整体系统的响应速度。器件内部采用了优化的芯片结构，以降低寄生电容，从而进一步提升开关性能。此外，该器件具有良好的抗雪崩能力，能够在恶劣的工作条件下提供额外的安全保障。
　　该 MOSFET 还具有较高的热阻性能，能够在高温环境下稳定运行。其 TO-247AC 封装形式具有良好的散热能力，适合高功率应用。此外，IXTT28N50Q 的设计符合 RoHS 环保标准，适用于各种工业和消费类电子产品。

IXTT28N50Q 被广泛应用于各种高功率电子设备中，如电源适配器、开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）系统以及各种工业自动化控制系统。由于其高耐压和大电流能力，该器件也非常适合用于照明镇流器、电池充电器以及家用电器中的功率控制模块。在新能源领域，该 MOSFET 也可用于太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，提供高效的功率转换解决方案。

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　　 "IRF28N50",
　　 "FQA28N50",
　　 "STF28N50",
　　 "SPW28N50C3"
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