型号：IXTT16N50D2
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：CoolMOS? D
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500 V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：16 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：64 A
　　导通电阻（RDS(on) max @ 10V VGS）：0.19 Ω
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：3.0 V ~ 4.5 V
　　输入电容（Ciss）：1300 pF
　　输出电容（Coss）：180 pF
　　反向恢复时间（trr）：45 ns
　　最大功耗（PD）：200 W
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装类型：TO-247

IXTT16N50D2的核心优势在于其基于Superjunction结构的CoolMOS?技术，这项技术突破了传统MOSFET在导通电阻与击穿电压之间权衡的限制，使得在保持500V高耐压的同时，实现极低的RDS(on)，有效降低了导通损耗。这对于高功率密度电源设计至关重要，尤其是在追求更高能效标准（如80 PLUS Titanium）的应用中。此外，该器件的动态性能经过专门优化，具备较低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），这不仅减少了驱动电路的负担，还显著降低了开关损耗，从而支持更高的开关频率运行，缩小磁性元件和电容体积，提升整体系统紧凑性。
　　另一个关键特性是其内置的快速恢复体二极管。传统的MOSFET体二极管反向恢复电荷大、恢复时间长，容易造成额外的开关损耗和电压振铃。而IXTT16N50D2通过优化体二极管结构，大幅降低了反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复时间（trr），使其在硬开关或零电压切换（ZVS）过渡期间表现更平稳，减少EMI噪声，并防止因反向恢复引起的过热问题。这一特性在PFC升压转换器中尤为关键，因为在每个开关周期内，体二极管都会承受反向恢复应力。
　　从可靠性角度来看，IXTT16N50D2具备出色的抗雪崩能力（Avalanche Ruggedness），能够在瞬态过压条件下安全运行而不损坏，增强了系统对异常工况的容忍度。同时，其TO-247封装提供了良好的热传导路径，配合散热器可有效将结温控制在安全范围内，确保长期稳定运行。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101等可靠性认证的部分测试项目，表明其具备较高的质量等级和环境适应性。综合来看，IXTT16N50D2是一款集高效、可靠、紧凑于一体的先进功率MOSFET，适用于对性能要求严苛的现代电力电子系统。

IXTT16N50D2广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要高效率和高功率密度的设计中表现突出。典型应用场景包括：连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）级，常见于服务器电源、工业电源和通信电源模块中，用于提升输入端的功率因数并降低谐波失真；在DC-DC变换器中作为主开关器件，特别是在LLC谐振转换器或硬开关全桥/半桥拓扑中，利用其低导通电阻和良好开关特性实现高效能量转换；此外，它也适用于太阳能微型逆变器、UPS不间断电源、电动车辆充电设备以及高端LED照明驱动电源等对能效和可靠性要求较高的领域。
　　在这些应用中，IXTT16N50D2的快速体二极管特性能够显著改善系统的动态响应，减少开关节点的电压尖峰和振荡，从而降低电磁干扰（EMI）滤波成本。同时，其高温工作能力和优异的热稳定性使其非常适合在密闭或高温环境中长期运行。由于其支持高频操作，有助于减小变压器、电感等无源元件的尺寸，进而实现更小型化和轻量化的电源设计。此外，在需要冗余设计或多管并联工作的场合，其一致的电气特性和良好的热耦合性能也有助于均流和热管理。总体而言，IXTT16N50D2凭借其综合性能优势，已成为许多高端电源设计中的首选功率开关器件之一。

IPP65R190CFD
　　IPP65R190E
　　IXTH16N50D2