时间：2025/8/5 22:57:26
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IXTT120N15D是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件具有高电流容量、低导通电阻和优异的热稳定性，适用于需要高效率和高可靠性的工业级应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：150V
最大漏极电流(ID)：120A
导通电阻(RDS(on))：6.5mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：160nC
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-247AC
最大功耗(PD)：400W
IXTT120N15D MOSFET采用了先进的平面技术，提供了卓越的导通和开关性能。其低导通电阻降低了导通损耗，提高了系统效率。同时，该器件具有高雪崩能量耐受能力，增强了在极端工作条件下的可靠性。此外，IXTT120N15D还具备良好的热管理性能，能够在高温环境下稳定工作，避免热失控现象的发生。其封装设计便于散热器安装，进一步优化了散热性能，适用于高功率密度的应用场景。
该MOSFET还具备快速开关特性，减少了开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色。其栅极驱动要求较低，兼容常见的驱动电路，简化了设计复杂度。整体来看，IXTT120N15D是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于各种高要求的功率电子系统。
IXTT120N15D广泛应用于多种高功率电子设备中，如直流-直流转换器、电机驱动器、电源管理系统、逆变器以及不间断电源（UPS）等。其优异的导通和开关性能使其成为高性能开关电源和工业自动化系统的理想选择。此外，该器件也适用于高电流负载切换、电池充电电路和功率放大器设计等场景。
IXFN120N15D, IRFP2907Z, STP120N15F7, FDP120N15A
