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IXFV18N60PS 发布时间 时间:2024/9/23 13:46:09 查看 阅读:160

参数

类别:分离式半导体产品
  家庭:MOSFET,GaNFET-单
  系列:PolarHV?
  FET型:MOSFET N通道,金属氧化物
  FET特点:标准型
  开态Rds(最大) Id,Vgs 25°C:400毫欧 500mA,10V
  漏极至源极电压(Vdss):600V
  电流-连续漏极(Id) 25°C:18A
  Id时的Vgs(th)(最大):5.5V 2.5mA
  闸电荷(Qg) Vgs:50nC 10V
  在Vds时的输入电容(Ciss):2500pF 25V
  功率-最大:360W

封装参数

安装类型:表面贴装
  封装/外壳:PLUS-220SMD
  包装:管件

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IXFV18N60PS参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PolarHV™ HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C400 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 2.5mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2500pF @ 25V
  • 功率 - 最大360W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PLUS-220SMD
  • 供应商设备封装PLUS-220SMD
  • 包装管件