型号：12N90-FC2
　　制造商：onsemi（原Fairchild Semiconductor）
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　连续漏极电流（Id）：12A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：48A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值约0.75Ω（@Vgs=10V, Id=6A）
　　阈值电压（Vgs(th)）：3.0V～5.0V（@Id=250μA）
　　最大功率耗散（Pd）：150W（@Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　输入电容（Ciss）：约1100pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：约180pF（@Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：未集成快速恢复二极管时需外接续流二极管
　　封装类型：TO-220F

12N90-FC2具备出色的电气特性和可靠性，能够胜任严苛的高电压开关应用。其最显著的特性之一是高达900V的漏源击穿电压，使其在面对雷击浪涌、电网瞬态过压等异常情况时仍能保持稳定运行，从而提升了系统的鲁棒性。这一高耐压能力尤其适用于单级PFC电路、反激式变换器以及谐振LLC拓扑中，确保即使在输入电压峰值期间也不会发生击穿现象。该器件采用了优化的超结（Super Junction）结构，在维持高耐压的同时大幅降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了导通损耗，提高了转换效率。尽管其标称Rds(on)约为0.75Ω，但在实际应用中可通过良好的散热设计进一步提升电流承载能力。
　　另一个关键特性是其较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这直接影响了开关速度和驱动损耗。低Qg意味着可以用较小的驱动电流实现快速开关，减少了控制器的负担，并降低了动态损耗，有利于高频操作下的能效提升。同时，该MOSFET具有较高的跨导（Transconductance），增强了对栅极电压的响应灵敏度，使得开关过程更加可控和平滑。其体二极管虽不具备超快恢复特性，但在多数电源拓扑中可通过外部快恢复或肖特基二极管进行补偿。
　　在热性能方面，TO-220F封装提供了良好的热传导路径，允许通过散热片有效将热量传递到环境空气中，支持长时间满负荷运行。此外，该器件符合RoHS环保要求，不含铅和其他有害物质，适用于绿色电子产品设计。其内部结构经过严格测试，具备良好的抗雪崩能力和dv/dt耐受性，能够在短时过载或异常工况下提供一定程度的自我保护。综合来看，12N90-FC2是一款兼顾高耐压、适度导通性能与可靠性的中高端功率MOSFET，适合追求性价比与稳定性的工业级电源产品。

12N90-FC2主要应用于各类高电压、中等功率的开关电源系统中。典型用途包括离线式AC-DC适配器、工业电源模块、LED恒流驱动电源以及电信设备供电单元。在这些应用中，它常被用作主开关管，尤其是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中，承担能量传递和电压调节的核心功能。得益于其900V的高击穿电压，该器件非常适合用于宽输入电压范围（如85VAC~265VAC）的全球通用电源设计，在高压输入条件下依然能保持安全裕量，避免因瞬态过压导致器件损坏。
　　此外，12N90-FC2也广泛用于有源功率因数校正（PFC）电路中，特别是在临界导通模式（CRM）或连续导通模式（CCM）PFC升压级中作为开关元件。在此类应用中，它需要频繁地进行高速开关动作，因此其低栅极电荷和良好开关特性显得尤为重要，有助于减少开关损耗并提高整体能效。对于需要满足能源之星、IEC 61000-3-2等能效与谐波标准的产品而言，该MOSFET的表现足以支撑设计目标的达成。
　　在工业控制领域，该器件可用于电机驱动中的辅助电源、继电器驱动电路或隔离式DC-DC转换器。由于其具备较强的温度适应能力（工作结温可达150°C），可在高温环境下长期运行，适合部署于密闭或通风不良的工业设备内部。另外，在照明电子镇流器、充电桩辅助电源、UPS不间断电源等对可靠性要求较高的场合，12N90-FC2也被广泛采纳。总之，凡涉及高压直流或整流后高压母线开关的应用，都是其理想的适用场景。

FQP12N90C
　　STP12N90FM
　　KF12N90