时间：2025/9/11 6:32:03
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C2M0045170P 是由 Wolfspeed（前身为 Cree）生产的一款碳化硅（SiC）MOSFET功率晶体管，专为高频率、高效率的功率转换应用设计。这款器件采用了先进的碳化硅半导体技术，具有低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能。C2M0045170P 适用于电动汽车（EV）充电系统、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和工业电机驱动等高要求的电力电子设备。其高击穿电压能力和优异的开关特性使其在高温和高功率密度环境下表现出色。
类型：碳化硅 MOSFET
漏源电压（VDS）：1700 V
漏源导通电阻（RDS(on)）：45 mΩ
栅极电压范围：-5 V 至 20 V
最大连续漏极电流（ID）：80 A（Tc=100°C）
功耗（PD）：300 W
封装类型：TO-247-3
工作温度范围：-55°C 至 175°C
短路耐受能力：6倍额定电流@10μs
C2M0045170P 碳化硅 MOSFET 的主要特性之一是其极低的导通电阻（45 mΩ），这显著降低了导通损耗并提高了系统效率。该器件的高击穿电压（1700 V）使其适用于高压系统设计，能够在恶劣的电气环境中稳定工作。此外，C2M0045170P 采用了先进的 SiC 技术，具备非常快速的开关速度，从而减少了开关损耗并提高了系统的整体性能。
其坚固的封装设计（TO-247-3）提供了良好的热管理和机械稳定性，有助于在高温条件下维持可靠的工作状态。该 MOSFET 还具备良好的短路耐受能力，能够在极端条件下提供额外的安全保障。此外，C2M0045170P 的工作温度范围广泛（-55°C 至 175°C），适用于各种工业和汽车应用环境。
另一个关键优势是其栅极驱动兼容性，可在 -5 V 至 20 V 范围内工作，支持标准的 12 V 或 15 V 驱动电压，简化了驱动电路的设计。该器件的低寄生电容和低栅极电荷（Qg）进一步提升了其开关性能，降低了高频应用中的能量损耗。
C2M0045170P 主要应用于需要高效、高频和高可靠性的电力电子系统中。例如，它被广泛用于电动汽车（EV）的车载充电器（OBC）和 DC-DC 转换器，以提高能效并减小系统体积。在可再生能源领域，C2M0045170P 适用于太阳能逆变器和储能系统，能够显著提高转换效率并降低热管理成本。
在工业应用中，该器件适用于伺服驱动器、工业逆变器和高功率电源（如UPS系统），其优异的热稳定性和高耐压能力确保了系统在高负载条件下的长期可靠性。此外，C2M0045170P 还可用于高频感应加热和电焊设备，满足对快速开关和高效能转换的严格要求。
由于其优异的性能，C2M0045170P 也适用于各种高密度功率转换器和高效率电源模块，适用于对空间和效率要求严格的系统设计。
SiC MOSFET 可选替代型号包括：Cree/Wolfspeed 的 C2M0080170P（80 mΩ，1700 V）、C3M0032170K（32 mΩ，1700 V，TO-247-4 封装），以及 ROHM 的 SCT3045KL（45 mΩ，1700 V，TO-247N 封装）。对于需要兼容 SiC 技术的应用，英飞凌（Infineon）的 CoolSiC? 系列（如 IMZ120R045MH1）也可作为替代方案。
