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IXTT11P50 发布时间 时间:2025/7/21 17:09:05 查看 阅读:8

IXTT11P50是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用TO-220封装,具有良好的热性能和高耐压能力,适合用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等高功率应用场合。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):500V
  栅源电压(VGS):±30V
  连续漏极电流(ID):11A(在Tc=25℃)
  导通电阻(RDS(on)):0.36Ω @ VGS=10V
  功率耗散(PD):125W
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃
  封装类型:TO-220

特性

IXTT11P50具有低导通电阻和高电流承载能力,能够在高电压和高电流条件下稳定工作。其TO-220封装设计有助于快速散热,确保器件在高负载情况下的可靠性。
  此外,该MOSFET具备快速开关特性,降低了开关损耗,提高了系统效率。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平,便于与各种控制电路配合使用。
  该器件还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性,适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。

应用

IXTT11P50常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动、照明系统以及工业自动化设备中的功率控制电路。由于其高耐压和高电流能力,也适用于需要高效能功率管理的家电和新能源系统。

替代型号

STP12NM50ND, IRF840, FQA11N50

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IXTT11P50参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C750 毫欧 @ 5.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs130nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4700pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装管件