IXTT11P50是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用TO-220封装,具有良好的热性能和高耐压能力,适合用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等高功率应用场合。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):500V
栅源电压(VGS):±30V
连续漏极电流(ID):11A(在Tc=25℃)
导通电阻(RDS(on)):0.36Ω @ VGS=10V
功率耗散(PD):125W
工作温度范围:-55℃ 至 150℃
封装类型:TO-220
IXTT11P50具有低导通电阻和高电流承载能力,能够在高电压和高电流条件下稳定工作。其TO-220封装设计有助于快速散热,确保器件在高负载情况下的可靠性。
此外,该MOSFET具备快速开关特性,降低了开关损耗,提高了系统效率。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平,便于与各种控制电路配合使用。
该器件还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性,适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。
IXTT11P50常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动、照明系统以及工业自动化设备中的功率控制电路。由于其高耐压和高电流能力,也适用于需要高效能功率管理的家电和新能源系统。
STP12NM50ND, IRF840, FQA11N50