时间：2025/7/21 17:09:05
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IXTT11P50是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用TO-220封装，具有良好的热性能和高耐压能力，适合用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等高功率应用场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：11A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：0.36Ω @ VGS=10V
功率耗散（PD）：125W
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装类型：TO-220
IXTT11P50具有低导通电阻和高电流承载能力，能够在高电压和高电流条件下稳定工作。其TO-220封装设计有助于快速散热，确保器件在高负载情况下的可靠性。
此外，该MOSFET具备快速开关特性，降低了开关损耗，提高了系统效率。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，便于与各种控制电路配合使用。
该器件还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。
IXTT11P50常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动、照明系统以及工业自动化设备中的功率控制电路。由于其高耐压和高电流能力，也适用于需要高效能功率管理的家电和新能源系统。
STP12NM50ND, IRF840, FQA11N50
