时间：2025/4/29 13:40:50
阅读：3
2N6491G是一种双极型晶体管（BJT），属于NPN型，主要用于高频和低噪声应用。该晶体管通常被用于射频（RF）放大器、混频器和其他高频电路中。其设计注重低噪声性能，因此在无线通信设备、接收机以及其他对信号完整性要求较高的领域中具有广泛应用。
集电极-发射极电压：50V
集电极电流：0.2A
功率耗散：350mW
频率响应：高达1GHz
增益带宽积：1GHz
噪声系数：1.7dB
直流电流增益（hFE）：100
封装类型：TO-18
2N6491G的主要特点是其出色的高频性能和低噪声特性。它能够在高频条件下保持稳定的增益，并且具备较低的噪声系数，这使得它非常适合于需要高灵敏度和低失真的应用环境。
此外，它的增益带宽积较高，能够支持较宽的工作频率范围。这种晶体管的低功率耗散特性也使其适合在小型化和低功耗系统中使用。
2N6491G广泛应用于各种高频电子电路中，包括但不限于射频放大器、混频器、振荡器以及调制解调器等。在无线通信领域，它可以用于构建高性能的接收机前端，以提升系统的灵敏度和抗干扰能力。
此外，在测试与测量设备中，该晶体管也可以作为信号放大的关键组件。由于其低噪声特性，2N6491G还经常出现在音频设备中的前置放大器部分，用于提高信噪比。
2N6490, 2N6492
