类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：88A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：200V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值约 0.026Ω（在 VGS = 10V）
　　功耗（PD）：420W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247AC

IXTQ88N20T 具备多项优异特性，使其在高功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了在高电流条件下的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。其次，该器件支持高达 200V 的漏极-源极电压，适用于中高功率的开关应用，例如电源转换器和电机驱动器。此外，其高栅极-源极电压容限（±30V）增强了器件在复杂电路环境中的稳定性，减少了因电压波动导致损坏的风险。该 MOSFET 的封装形式（TO-247AC）具有良好的热管理性能，可有效散热，确保器件在高负载条件下仍能稳定运行。IXTQ88N20T 还具备快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频操作场景，例如 DC-DC 转换器和 UPS（不间断电源）系统。最后，该器件的工作温度范围广泛（-55°C 至 +150°C），能够在极端环境条件下可靠工作，适用于工业和汽车电子等要求较高的应用领域。

IXTQ88N20T 广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源管理领域，它常用于 DC-DC 转换器、AC-DC 整流器和同步整流器，以提高能效和降低发热。在电机控制方面，该器件适用于工业自动化设备中的电机驱动器，提供高效的功率输出和可靠的过载保护。此外，它也广泛用于逆变器系统，例如太阳能逆变器和不间断电源（UPS），以实现高效的能量转换和稳定的输出。在汽车电子领域，IXTQ88N20T 可用于电动汽车的电池管理系统、车载充电器以及电动助力转向系统，确保在高电流和高电压条件下的稳定运行。除此之外，该器件还可用于焊接设备、电镀电源以及高功率 LED 照明系统等需要高效功率开关的场合。

IXTQ88N20X、IXTQ88N20P、IXTQ88N20T2、IRFP4668、SiHF88N20EF