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IXTQ76N25T 发布时间 时间:2025/7/22 3:50:38 查看 阅读:8

IXTQ76N25T 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。该器件采用 TO-247 封装,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适用于工业电源、逆变器、马达控制和电源转换系统等应用。IXTQ76N25T 的设计优化了开关性能,同时保持了良好的热稳定性和耐用性。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏极电流:76A
  最大漏源电压:250V
  导通电阻(Rds(on)):约 0.042Ω
  栅极电荷:约 160nC
  最大功耗:300W
  封装:TO-247
  工作温度范围:-55°C 至 150°C

特性

IXTQ76N25T 是一款专为高功率应用而设计的功率 MOSFET。其关键特性之一是低导通电阻(Rds(on)),这使得该器件在高电流应用中能够保持较低的导通损耗,从而提高整体系统的效率。此外,该器件具有较高的电流承载能力,能够在连续工作状态下支持高达 76A 的漏极电流,使其适用于需要高功率密度的设计。IXTQ76N25T 的栅极电荷较低,有助于减少开关过程中的能量损耗,提高开关频率的适应能力。
  该器件采用了 TO-247 封装,这种封装形式具有良好的散热性能,能够有效地将工作过程中产生的热量散发出去,从而延长器件的使用寿命并提高可靠性。此外,TO-247 封装也便于在 PCB 上安装和散热片的连接,进一步优化热管理。
  在工作温度方面,IXTQ76N25T 能够在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内稳定工作,表现出良好的热稳定性和环境适应性。这种特性使得它可以在极端环境条件下使用,例如工业控制、电力电子设备和户外应用等场景中。此外,该器件的最大功耗为 300W,表明其在高功率负载下仍能保持良好的性能。
  IXTQ76N25T 的设计还考虑了抗雪崩能力,能够在某些过压或过流情况下提供一定程度的保护,从而提高系统的可靠性和耐用性。这种特性在电机控制、电源转换和 UPS 系统等应用中尤为重要。

应用

IXTQ76N25T 通常用于高功率开关电路中,例如电源转换器、直流-交流逆变器、马达驱动器、UPS(不间断电源)系统、工业自动化设备和太阳能逆变器等领域。由于其高电流承载能力和低导通电阻,该器件非常适合用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。

替代型号

IXTQ76N25L2、IXTQ76N25P、IXTQ76N25B

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IXTQ76N25T参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C76A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C39 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs92nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4500pF @ 25V
  • 功率 - 最大460W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装TO-3P
  • 包装管件