IXTQ76N25T 时间：2025/7/22 3:50:38 阅读：10

IXTQ76N25T 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用 TO-247 封装，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于工业电源、逆变器、马达控制和电源转换系统等应用。IXTQ76N25T 的设计优化了开关性能，同时保持了良好的热稳定性和耐用性。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流：76A
　　最大漏源电压：250V
　　导通电阻（Rds(on)）：约 0.042Ω
　　栅极电荷：约 160nC
　　最大功耗：300W
　　封装：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

IXTQ76N25T 是一款专为高功率应用而设计的功率 MOSFET。其关键特性之一是低导通电阻（Rds(on)），这使得该器件在高电流应用中能够保持较低的导通损耗，从而提高整体系统的效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力，能够在连续工作状态下支持高达 76A 的漏极电流，使其适用于需要高功率密度的设计。IXTQ76N25T 的栅极电荷较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关频率的适应能力。
　　该器件采用了 TO-247 封装，这种封装形式具有良好的散热性能，能够有效地将工作过程中产生的热量散发出去，从而延长器件的使用寿命并提高可靠性。此外，TO-247 封装也便于在 PCB 上安装和散热片的连接，进一步优化热管理。
　　在工作温度方面，IXTQ76N25T 能够在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内稳定工作，表现出良好的热稳定性和环境适应性。这种特性使得它可以在极端环境条件下使用，例如工业控制、电力电子设备和户外应用等场景中。此外，该器件的最大功耗为 300W，表明其在高功率负载下仍能保持良好的性能。
　　IXTQ76N25T 的设计还考虑了抗雪崩能力，能够在某些过压或过流情况下提供一定程度的保护，从而提高系统的可靠性和耐用性。这种特性在电机控制、电源转换和 UPS 系统等应用中尤为重要。