时间：2025/7/26 17:12:03
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SNE3039A1BTRSKR 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效功率管理的电子应用。这款MOSFET属于N沟道增强型器件，具有较低的导通电阻和较高的开关性能，适合用于电源管理、DC-DC转换器以及电机控制等场景。
类型：N沟道
漏极电流（ID）：150A
漏极-源极电压（VDS）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：2.7mΩ（典型值）
功率耗散（PD）：140W
工作温度范围：-55°C至175°C
SNE3039A1BTRSKR 具有多个显著特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）可显著减少功率损耗，提高系统的整体效率。其次，该器件采用高性能封装技术，使得其在高电流和高功率应用中具备良好的热管理能力，从而确保了器件的稳定性和可靠性。
此外，SNE3039A1BTRSKR 还具有较高的栅极电荷（Qg）和较低的反向恢复电荷（Qrr），使其在高频开关应用中表现出色。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）使其适用于各种严苛环境，如汽车电子、工业自动化和消费类电子产品。
SNE3039A1BTRSKR MOSFET广泛应用于多种功率电子系统。在电源管理领域，它常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路，以提高转换效率并减小系统尺寸。在汽车电子领域，该器件可用于电池管理系统、电动助力转向系统（EPS）以及车载充电器等应用，满足汽车工业对高可靠性和长寿命的要求。
STP150N3LLZAG, IPW90R120C3, FDP047N30
