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IXTQ60N20T 发布时间 时间:2025/4/28 18:27:37 查看 阅读:27

IXTQ60N20T 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沣道整流器。该器件采用先进的 MOSFET 技术,适用于高频开关应用。IXTQ60N20T 提供了低导通电阻和快速开关速度,使其非常适合于高效能电源转换、电机驱动以及 DC-DC 转换器等应用。其封装形式为 TO-247,适合散热要求较高的场合。
  该器件的工作电压高达 200V,具有高可靠性,并且具备较低的开关损耗特性。

参数

最大漏源电压:200V
  连续漏极电流:60A
  导通电阻(典型值):0.018Ω
  栅极电荷:35nC
  反向恢复时间:95ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IXTQ60N20T 的主要特性包括:
  1. 高电压能力,额定 200V,确保在高压环境下的稳定性。
  2. 大电流承载能力,支持最高 60A 的连续漏极电流。
  3. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高效率。
  4. 快速开关性能,通过优化的栅极电荷设计实现更快的切换速度。
  5. 优秀的热性能,结合 TO-247 封装提供了良好的散热管理。
  6. 广泛的工作温度范围,适应各种极端条件的应用需求。
  7. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。

应用

IXTQ60N20T 适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于:
  1. 工业电源系统中的 DC-DC 转换器。
  2. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率开关。
  3. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
  4. 新能源设备如太阳能逆变器中的功率调节。
  5. 不间断电源 (UPS) 系统中的功率模块。
  6. 电动汽车充电站和其他需要高效功率转换的场景。

替代型号

IXTP100N25L, FCH063N20FD, IRFP260N

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IXTQ60N20T参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥42.13000管件
  • 系列Trench
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)60A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)40 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)73 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4530 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-3P
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3