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W74M12FVSSIQ TR 发布时间 时间:2025/8/20 9:59:06 查看 阅读:14

W74M12FVSSIQ TR是一款由Winbond公司生产的串行闪存存储器(Serial Flash Memory),专为高性能、低功耗和高可靠性设计。该芯片广泛应用于嵌入式系统、消费电子、工业控制、网络设备和通信设备等领域。该器件采用先进的CMOS工艺制造,支持SPI(Serial Peripheral Interface)通信协议,具备快速读写速度和高耐用性。该芯片的容量为128Mb(即16MB),支持多种操作电压(通常为2.7V至3.6V),并具备多种保护机制以确保数据的完整性和安全性。

参数

容量:128Mb(16MB)
  接口类型:SPI(Serial Peripheral Interface)
  工作电压:2.7V - 3.6V
  最大工作频率:104MHz
  存储架构:串行闪存
  封装类型:WLCSP(晶圆级芯片封装)
  温度范围:-40°C 至 +85°C
  擦除块大小:4KB, 32KB, 64KB
  写保护机制:硬件写保护和软件写保护
  可靠性:10万次擦写周期
  数据保持时间:10年

特性

W74M12FVSSIQ TR具有多项先进的技术特性,首先其支持高速SPI接口,最高可达104MHz的时钟频率,确保了快速的数据传输速率,适用于需要高带宽的应用场景。
  其次,该芯片采用低功耗设计,支持多种节能模式,包括待机模式和深度掉电模式,有助于延长便携式设备的电池寿命。
  在数据保护方面,W74M12FVSSIQ TR提供了硬件和软件写保护机制,用户可以通过设置状态寄存器来锁定特定的存储区域,防止意外写入或擦除操作。
  此外,该芯片支持多种擦除粒度,包括4KB、32KB和64KB的擦除块,使得用户能够灵活地管理存储空间,适用于需要频繁更新数据的应用。
  其WLCSP封装形式不仅减小了PCB空间占用,还提高了封装的热稳定性和电性能,适用于空间受限的高密度电子产品。
  该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,满足工业级应用的严苛环境要求,确保在各种恶劣条件下稳定运行。
  最后,W74M12FVSSIQ TR具有高达10万次的擦写周期和10年的数据保持能力,具备出色的耐用性和长期可靠性。

应用

W74M12FVSSIQ TR广泛应用于多种嵌入式系统和电子设备中。例如,在消费类电子产品中,它常用于存储固件、启动代码、配置数据以及用户数据。在智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,该芯片用于存储操作系统引导代码和关键的系统参数。
  在工业控制领域,W74M12FVSSIQ TR可用于PLC(可编程逻辑控制器)、工业传感器和自动化设备中,存储程序代码和校准数据。
  在通信设备中,如路由器、交换机和无线模块,该芯片用于存储MAC地址、安全密钥和固件镜像。
  此外,该芯片也广泛应用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统、远程信息处理模块和仪表盘控制系统,确保设备在复杂环境下稳定运行。
  由于其高可靠性和小封装特点,W74M12FVSSIQ TR也常用于物联网(IoT)设备、智能家电和智能家居控制器中。

替代型号

W25Q128JV, MX25R1235F, S25FL128SD, GD25Q128C

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W74M12FVSSIQ TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术闪存 - NAND
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织16M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率80 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC