IXTQ50N28T 时间：2025/8/6 7:23:00 阅读：25

IXTQ50N28T 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于高功率、高效率的电源转换系统，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制以及逆变器应用中。这款 MOSFET 的设计具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流承载能力，使其在高频开关应用中表现出色。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：280V
　　最大漏极电流（Id）：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.055Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.1V ~ 4.0V
　　最大功耗（Ptot）：250W
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C

特性

IXTQ50N28T 以其卓越的导通和开关性能著称。首先，该器件的低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了系统的整体效率。其次，该 MOSFET 具有高电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　此外，IXTQ50N28T 采用了先进的平面工艺和沟槽栅极技术，这不仅提高了器件的可靠性和耐用性，还增强了其在高频开关条件下的性能表现。该器件的封装形式为 TO-247，具备良好的散热能力，适用于高功率密度的设计。
　　该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供一定的保护功能。同时，其快速恢复时间也使其适用于高频率的开关应用，从而减少了开关损耗并提高了系统的响应速度。
　　IXTQ50N28T 的栅极驱动要求较低，可以在较宽的 Vgs 范围内稳定工作，适合多种控制电路的设计需求。此外，该器件具有较高的短路耐受能力，确保在异常工作条件下不会轻易损坏。

应用

IXTQ50N28T 主要用于需要高效率和高功率密度的电源转换系统。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、UPS 系统以及工业自动化控制设备。
　　在开关电源中，该器件用于高频开关操作，以实现高效的能量转换。在电机控制应用中，它能够提供稳定的电流输出，并具备快速响应负载变化的能力。此外，该 MOSFET 还可用于太阳能逆变器和电动汽车的充电系统中，作为功率开关器件使用。
　　由于其高可靠性和优异的热性能，IXTQ50N28T 也广泛应用于需要长时间运行和高稳定性的工业控制系统，例如变频器和伺服驱动器。同时，该器件也适用于各种电池管理系统（BMS）和电源管理模块，能够有效提升系统的能效和稳定性。