时间：2025/8/28 3:02:58
阅读：5
F008BVHB-BTL90 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率控制应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高功率密度，适合用于 DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器等高效率功率转换设备。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
最大连续漏极电流（Id）：80 A
导通电阻（Rds(on)）：8.8 mΩ（最大值，在 Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：140 W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：HSON（表面贴装，5mm x 6mm）
F008BVHB-BTL90 MOSFET 的核心特性是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了 ROHM 独特的沟槽结构技术，使得在相同尺寸下实现更高的电流承载能力。
此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性和高功率耗散能力（140W），使其能够在高负载条件下稳定运行。封装采用 HSON（热增强型表面贴装）设计，有助于提高散热性能，同时适用于自动化贴装工艺，提升生产效率。
该器件还具有良好的开关性能，包括低栅极电荷（Qg）和快速开关速度，有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源应用。同时，其 ±20V 的栅极电压耐受能力提供了更高的设计灵活性，可兼容多种驱动电路设计。
在可靠性方面，F008BVHB-BTL90 符合 RoHS 标准，并具有良好的抗静电能力和长期稳定性，适用于汽车电子、工业控制和消费类电子等多种应用环境。
F008BVHB-BTL90 MOSFET 主要用于需要高效功率管理的场合。典型应用包括同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（如 BMS）、电机驱动电路、电源分配系统、服务器和通信设备的电源模块等。
在汽车电子领域，该器件可应用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、车载逆变器等功率控制模块。在工业控制中，它适用于各种开关电源、PLC 输出驱动电路和工业自动化设备中的功率开关单元。
由于其高频开关性能和紧凑封装，该 MOSFET 也适用于高密度电源设计，如笔记本电脑适配器、便携式电子设备的电源管理系统以及 LED 照明驱动电路等。
SiSSPM180N10Y、NVTFS5C471NLWT、FDMS86180、R6004END
