IXTQ480P 时间：2025/8/5 22:13:31 阅读：20

IXTQ480P是一款由IXYS公司生产的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管（FET）。该器件专为高电流、高电压的应用设计，具备低导通电阻、高耐压和高开关速度的特性，广泛应用于电源转换、电机控制、逆变器、电池管理系统等高功率电子设备中。其封装形式为TO-247，适合高功率耗散需求的场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：480V
　　漏极电流（ID）：100A（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.027Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：约150nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXTQ480P的主要特性包括出色的导通性能和低导通损耗，这得益于其非常低的RDS(on)值，有助于提高系统的能效。此外，该MOSFET具备优异的热稳定性和可靠性，能够在高温度环境下稳定工作。其高耐压能力（480V）和大电流承载能力（100A）使其适用于高功率密度设计，同时其快速开关特性也适合高频应用，从而减少开关损耗。该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载能力，提升了在极端工况下的稳定性与安全性。
　　此外，TO-247封装提供了良好的散热性能，便于与散热片配合使用，进一步增强其在高功率应用中的适用性。

应用

IXTQ480P广泛应用于各种高功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、不间断电源（UPS）、电动工具、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备。由于其具备高耐压、大电流和低导通电阻的特点，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的电力电子转换系统。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电设备中，IXTQ480P也常被用于功率开关电路，以实现高效的能量转换。