IXTQ44P15T 时间：2024/9/13 10:14:59 阅读：146

技术参数

类别：分离式半导体产品
　　家庭：MOSFET，GaNFET-单
　　系列：TrenchP
　　FET型：MOSFET P通道，金属氧化物
　　FET特点：标准型
　　开态Rds（最大） Id,Vgs 25°C：65毫欧 500mA,10V
　　漏极至源极电压(Vdss)：150V
　　电流-连续漏极(Id) 25°C：44A
　　Id时的Vgs(th)（最大）：4V 250μA
　　闸电荷(Qg) Vgs：175nC 10V
　　在Vds时的输入电容(Ciss)：13400pF 25V
　　功率-最大：298W
　　安装类型：通孔

封装参数

封装/外壳：TO-3P
　　包装：管件

物理参数

工作温度:-55℃~150℃(TJ)

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IXTQ44P15T
深圳市新思汇科技有限公司
7480
Mini
2023+/TO3P

IXTQ44P15T
深圳市奥利腾科技有限公司
20000
IXYS
22+/TO247

IXTQ44P15T
深圳市郓州科技有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ44P15T
柒号芯城电子商务(深圳)有限公
8000
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2024+/TO247

IXTQ44P15T
深圳市励芯恒智能科技有限公司
14850
IXYS/艾赛斯
2022+/TO3P

IXTQ44P15T
深圳市佳微科技有限公司
60000
ON/安森美
23+/SOT252

IXTQ44P15T
深圳市华睿芯科技有限公司
20000
MINI
2023+/SOP

IXTQ44P15T
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
18850
IXYS
19+/TO3P

IXTQ44P15T
深圳市跃创芯科技有限公司
30000
IXYS/艾赛斯
2022+/TO3P

IXTQ44P15T
深圳市安富世纪电子有限公司
6000
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ44P15T
深圳市鼎信佳电子科技有限公司
20000
IXYS
24+/TO3P

IXTQ44P15T
深圳市创芯联盈电子有限公司
6800
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

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中扬电子（深圳）有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
21+/TO3P

IXTQ44P15T
深圳市怡兴业电子科技有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

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深圳市赛恒电子科技有限公司
8600
IXYS/艾赛斯
21+/TO3P

IXTQ44P15T
深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
4500
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ44P15T
深圳市吉铭贸易有限公司
50000
IXYS
2020+/MOSFET PCH 150V 44A TO3P

IXTQ44P15T
深圳市腾桩电子有限公司
6800
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ44P15T
深圳市港禾科技有限公司
50000
IXYS/艾赛斯
2022+/TO3P

IXTQ44P15T
深圳市科鑫美电子有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
21+/TO3P

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IXTQ44P15T
MOSFET P-CH 150V 44A TO-3P
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IXTQ44P15T参数

标准包装30
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchP™
FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C44A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C65 毫欧 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs175nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds13400pF @ 25V
功率 - 最大298W
安装类型通孔
封装/外壳TO-3P-3，SC-65-3
供应商设备封装TO-3P
包装管件