您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXTQ44P15T

IXTQ44P15T 发布时间 时间:2024/9/13 10:14:59 查看 阅读:137

技术参数

类别:分离式半导体产品
  家庭:MOSFET,GaNFET-单
  系列:TrenchP
  FET型:MOSFET P通道,金属氧化物
  FET特点:标准型
  开态Rds(最大) Id,Vgs 25°C:65毫欧 500mA,10V
  漏极至源极电压(Vdss):150V
  电流-连续漏极(Id) 25°C:44A
  Id时的Vgs(th)(最大):4V 250μA
  闸电荷(Qg) Vgs:175nC 10V
  在Vds时的输入电容(Ciss):13400pF 25V
  功率-最大:298W
  安装类型:通孔

封装参数

封装/外壳:TO-3P
  包装:管件

物理参数

工作温度:-55℃~150℃(TJ)

IXTQ44P15T推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXTQ44P15T资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IXTQ44P15T参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchP™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C44A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C65 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs175nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds13400pF @ 25V
  • 功率 - 最大298W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装TO-3P
  • 包装管件