时间：2025/7/22 4:37:07
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IXTQ28N15P是一款由IXYS公司制造的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合。该器件具有较低的导通电阻，可支持大电流和高压应用，适用于如开关电源、电机驱动、逆变器以及工业自动化设备等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：28A
漏源极击穿电压（VDS）：150V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大为0.085Ω（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：125W
工作温度范围：-55°C至+175°C
IXTQ28N15P具有多项优异的电气特性，包括较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗并提高了效率。其高击穿电压（VDS=150V）使其适用于中高压功率转换应用。此外，该MOSFET具备较高的热稳定性和耐久性，能够承受较大的工作电流和环境温度变化。
这款器件的封装形式通常为TO-247，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，便于与各种驱动电路配合使用。由于其快速的开关特性，IXTQ28N15P在高频开关应用中表现出色，例如DC-DC转换器、PWM电机控制器和UPS系统等。
同时，IXTQ28N15P还具备较强的短路耐受能力，有助于提高系统的可靠性和稳定性。这些特性使得该器件在工业控制、汽车电子和新能源设备中得到了广泛应用。
IXTQ28N15P主要应用于以下领域：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统等。由于其高效率和良好的热管理性能，该MOSFET特别适合于需要长时间运行和高可靠性的应用场合。
IXFH28N150P, IRFP260N, FDPF28N150P
