时间：2025/8/6 11:41:20
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IXTQ26N60P是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率电子设备中。该器件采用TO-247封装形式，具备较高的耐压能力和较大的导通电流容量，适用于需要高效能、高可靠性的电源转换系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：26A（在25℃）
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.22Ω
栅极电荷(Qg)：87nC
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-247
最大功耗(Pd)：200W
IXTQ26N60P具有低导通电阻特性，可以有效降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件具备快速开关特性，能够适应高频开关应用的需求，减少开关损耗。此外，它还具备较高的热稳定性与可靠性，能够在较高温度环境下稳定运行。其坚固的封装结构提供了良好的散热性能，使得该MOSFET在高功率应用中表现出色。该器件还具备良好的短路耐受能力，适用于需要较高安全裕度的工业和电源应用。
此外，IXTQ26N60P采用了先进的平面技术，确保了器件在不同负载条件下的稳定性和一致性。其栅极驱动特性较为平滑，能够减少电磁干扰（EMI）的产生，从而提升系统的电磁兼容性。该MOSFET还具有较低的反向恢复损耗，特别适用于整流和DC-DC转换等应用场合。
IXTQ26N60P常用于各种高功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、工业自动化控制系统以及电焊机等设备。其高可靠性和优异的热性能使其成为工业级和高要求应用的理想选择。
IXTQ26N60PD1, IXTP26N60P, FCP26N60FP
