IXTQ220N075T是一款由IXYS公司制造的高功率N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高电流和高效率应用设计。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高击穿电压和大电流处理能力,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制、逆变器以及其他需要高效能功率开关的场合。IXTQ220N075T采用TO-247封装,便于散热和安装。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):75V
栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):220A(在Tc=25°C时)
导通电阻(Rds(on)):最大值为5.4mΩ(在Vgs=10V时)
功率耗散(Ptot):300W(Tc=25°C)
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装类型:TO-247
栅极电荷(Qg):140nC(典型值)
输入电容(Ciss):6000pF(典型值)
IXTQ220N075T的主要特性包括其极低的导通电阻,这有助于降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具有快速开关特性,使其适用于高频开关应用,从而减小电源系统的体积并提高响应速度。其高电流承载能力确保了在极端负载条件下仍能稳定运行。TO-247封装提供了良好的热管理和机械稳定性,适用于高功率密度设计。该器件还具备高雪崩能量耐受能力,增强了在高应力条件下的可靠性。
另外,IXTQ220N075T具有良好的热稳定性,在高温环境下仍能维持性能,适用于工业和汽车电子等严苛环境。其栅极驱动特性兼容标准逻辑电平,便于与各种控制电路集成。该MOSFET还具有较低的跨导(gfs),确保在各种工作条件下均能实现稳定操作。
IXTQ220N075T广泛应用于多种高功率电子系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动、电池充电器、UPS系统、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统。在电动汽车和混合动力汽车的电力管理系统中,该器件也可用于功率转换和能量管理。此外,IXTQ220N075T也适用于需要高效率、高可靠性和高电流承载能力的电源模块设计。
IXTQ220N075T可替代的型号包括Infineon Technologies的BSC050N06NS5和STMicroelectronics的STP220N07F7。这些MOSFET器件在电气特性和封装形式上具有相似的性能指标,适用于类似的高功率应用场景。