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IXTQ220N075T 发布时间 时间:2025/8/6 6:43:37 查看 阅读:24

IXTQ220N075T是一款由IXYS公司制造的高功率N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高电流和高效率应用设计。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高击穿电压和大电流处理能力,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制、逆变器以及其他需要高效能功率开关的场合。IXTQ220N075T采用TO-247封装,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):75V
  栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):220A(在Tc=25°C时)
  导通电阻(Rds(on)):最大值为5.4mΩ(在Vgs=10V时)
  功率耗散(Ptot):300W(Tc=25°C)
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装类型:TO-247
  栅极电荷(Qg):140nC(典型值)
  输入电容(Ciss):6000pF(典型值)

特性

IXTQ220N075T的主要特性包括其极低的导通电阻,这有助于降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具有快速开关特性,使其适用于高频开关应用,从而减小电源系统的体积并提高响应速度。其高电流承载能力确保了在极端负载条件下仍能稳定运行。TO-247封装提供了良好的热管理和机械稳定性,适用于高功率密度设计。该器件还具备高雪崩能量耐受能力,增强了在高应力条件下的可靠性。
  另外,IXTQ220N075T具有良好的热稳定性,在高温环境下仍能维持性能,适用于工业和汽车电子等严苛环境。其栅极驱动特性兼容标准逻辑电平,便于与各种控制电路集成。该MOSFET还具有较低的跨导(gfs),确保在各种工作条件下均能实现稳定操作。

应用

IXTQ220N075T广泛应用于多种高功率电子系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动、电池充电器、UPS系统、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统。在电动汽车和混合动力汽车的电力管理系统中,该器件也可用于功率转换和能量管理。此外,IXTQ220N075T也适用于需要高效率、高可靠性和高电流承载能力的电源模块设计。

替代型号

IXTQ220N075T可替代的型号包括Infineon Technologies的BSC050N06NS5和STMicroelectronics的STP220N07F7。这些MOSFET器件在电气特性和封装形式上具有相似的性能指标,适用于类似的高功率应用场景。

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IXTQ220N075T参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchMV™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C220A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.5 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs165nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds7700pF @ 25V
  • 功率 - 最大480W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装TO-3P
  • 包装管件