时间：2025/8/5 17:39:28
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IXTQ200N10 是由 IXYS 公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率应用。该器件采用 TO-247 封装形式，具备较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动和逆变器等功率电子设备。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：200A
导通电阻（RDS(on)）：≤ 2.2mΩ
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
IXTQ200N10 功率 MOSFET 具有出色的导通和开关性能。其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流应用中具有较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。该器件的设计优化了开关速度，减少了开关损耗，适合高频应用。此外，该 MOSFET 具有较高的雪崩能量承受能力，能够在突发电压冲击下保持稳定运行。封装形式采用 TO-247，具有良好的热性能和机械稳定性，便于安装和散热。栅极驱动要求较低，可兼容常见的栅极驱动电路，降低了驱动电路的设计复杂性。器件还具有较高的热阻稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
该 MOSFET 还采用了先进的沟槽栅技术，提升了电流密度和耐压能力，同时降低了寄生电容，提高了高频响应能力。IXTQ200N10 的设计确保了在硬开关和软开关拓扑中均能表现出色，适合用于各种功率转换系统，如 AC-DC 电源、DC-DC 转换器、逆变器和 UPS（不间断电源）等。此外，其高可靠性使其适用于工业自动化、新能源汽车、储能系统等对性能要求较高的领域。
IXTQ200N10 主要应用于高功率密度和高效率的电力电子系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器、UPS（不间断电源）以及光伏逆变器等。由于其高电流能力和低导通损耗，该器件也广泛用于电动车充电系统、储能系统和工业自动化设备中的功率管理模块。
IXFN200N10T、IXTP200N10T、IRFP4468PBF、SiR882DP-T1-GE3
