NCE65T540K 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器和无线充电等领域。该器件采用先进的封装技术,具备高开关频率、低导通电阻和优异的热性能,可显著提升系统效率并减小整体尺寸。
由于其材料特性,NCE65T540K能够承受更高的工作电压,并且在高频应用中表现尤为突出,适用于需要高能效和紧凑设计的应用场景。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:40A
导通电阻:54mΩ
栅极电荷:95nC
开关频率:1MHz
封装形式:TO-247
NCE65T540K采用了增强型氮化镓晶体管技术,具有以下显著特点:
1. 高击穿电压:650V的额定电压使其适合多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻:仅为54mΩ,降低了导通损耗。
3. 快速开关性能:支持高达1MHz的开关频率,大幅减少了磁性元件的体积和重量。
4. 出色的热稳定性:得益于高效的散热设计和低热阻封装,器件能够在高温环境下保持稳定运行。
5. 高可靠性:经过严格的质量测试,确保在恶劣环境下的长期使用。
NCE65T540K主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于AC-DC和DC-DC转换,提供更高的转换效率。
2. 无线充电设备:支持高频率操作,提升无线能量传输效率。
3. 太阳能逆变器:优化了光伏系统的功率转换性能。
4. 电机驱动:实现更精确的控制和更高的效率。
5. 工业电源:为工业设备提供可靠的电力供应解决方案。
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