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IXTQ180N085T 时间：2024/9/6 14:41:02 阅读：365

技术参数

耗散功率:430W(Tc)
　　漏源极电压(Vds):85 V
　　输入电容(Ciss):7500pF 25V(Vds)
　　耗散功率(Max):430W(Tc)

封装参数

安装方式:Through Hole
　　引脚数:3
　　封装:TO-3-3

物理参数

工作温度:-55℃~175℃(TJ)

IXTQ180N085T推荐供应商更多>

产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价

IXTQ180N085T
深圳市宝芯创电子有限公司
9944
ON
2023+/TO3P

IXTQ180N085T
深圳市奥利腾科技有限公司
20000
IXYS
22+/TO3P

IXTQ180N085T
深圳市郓州科技有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ180N085T
柒号芯城电子商务(深圳)有限公
8000
IXYS
2024+/TO3P

IXTQ180N085T
深圳市科鑫美电子有限公司
28683
IXYS
21+/TO3P

IXTQ180N085T
深圳市佳微科技有限公司
60000
IXYS/艾赛斯
23+/D2PAK

IXTQ180N085T
深圳市华睿芯科技有限公司
20000
ON
2023+/SOIC8

IXTQ180N085T
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
32365
IXYS
19+/TO3P

IXTQ180N085T
深圳市跃创芯科技有限公司
25000
IXYS/艾赛斯
22+/TO3P

IXTQ180N085T
深圳市安富世纪电子有限公司
6000
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ180N085T
深圳市创芯联盈电子有限公司
4500
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ180N085T
中扬电子（深圳）有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
21+/TO3P

IXTQ180N085T
深圳市怡兴业电子科技有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ180N085T
深圳市赛恒电子科技有限公司
8600
IXYS/艾赛斯
21+/TO3P

IXTQ180N085T
深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
4500
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ180N085T
深圳市吉铭贸易有限公司
50000
IXYS
2020+/MOSFET NCH 85V 180A TO3P

IXTQ180N085T
深圳市腾桩电子有限公司
8400
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ180N085T
深圳市科鑫美电子有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
21+/TO3P

IXTQ180N085T
深圳市河锋鑫科技有限公司
9000
IXYS
2023+/TO3P3 SC653

IXTQ180N085T
深圳市昴泽电子有限公司
9811
22+/

IXTQ180N085T相关型号推荐

IC词条百科

IXTQ180N085T参数

标准包装30
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchMV™
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)85V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C180A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C5.5 毫欧 @ 25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs170nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds7500pF @ 25V
功率 - 最大430W
安装类型通孔
封装/外壳TO-3P-3，SC-65-3
供应商设备封装TO-3P
包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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