时间：2025/8/6 7:08:14
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IXTQ180N055T 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款晶体管设计用于高电流、高频率的功率转换应用，例如在电源管理、电机控制和直流-直流转换器中使用。该器件采用了先进的技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特性，使其在高功率环境下依然能保持优异的性能。IXTQ180N055T 采用 TO-247 封装形式，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于工业级工作温度范围。
型号：IXTQ180N055T
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：55V
漏极-栅极电压(Vdg)：55V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：180A
功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
IXTQ180N055T 的最大特点之一是其极低的导通电阻，典型值为 3.5mΩ（最大值为 4.5mΩ），这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件采用了先进的平面技术，提供更高的热稳定性和可靠性。此外，IXTQ180N055T 还具备快速开关特性，其开关时间（上升和下降时间）非常短，适用于高频开关应用。该 MOSFET 内置了反向恢复二极管，能够有效地吸收感应负载产生的反向电流，从而保护电路免受损坏。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，适合现代绿色电子产品的需求。
此外，IXTQ180N055T 的封装设计有助于良好的散热性能，确保在高电流条件下仍能维持较低的温度上升。其 TO-247 封装形式也便于在印刷电路板（PCB）上安装和散热器连接，适用于各种功率电子设备的高密度设计。
IXTQ180N055T 适用于多种高功率、高效率的电子系统中。常见的应用包括直流电机驱动器、电池管理系统、不间断电源（UPS）、逆变器、功率因数校正（PFC）电路以及太阳能逆变器等。由于其高电流处理能力和低导通电阻，该器件在高功率开关电源中尤为常见，如服务器电源、工业电源和电动汽车充电系统。此外，该 MOSFET 也广泛应用于高频功率转换器，如 LLC 谐振转换器和同步整流器，以提高整体能效和系统稳定性。其快速开关特性和内置的保护机制使其在需要频繁开关的电机控制和变频器应用中表现出色。
IXTQ180N055T 可以被 IXTQ180N060T、IRFP4468PBF、SiR182DP、IXTH180N055T 等型号替代。
