类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大漏极电流（ID）：140A
　　导通电阻（RDS(on)）：11mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3.5V @ 1mA
　　输入电容（Ciss）：6000pF @ 1MHz
　　功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

IXTQ140N20P具有多项优异的电气和热性能，适用于高效率功率转换系统。其低导通电阻（RDS(on)）仅为11mΩ，可以显著降低导通损耗，提高系统效率。高漏极电流能力（140A）使其能够应对大电流负载需求，适用于电机驱动、DC-DC转换器和逆变器等应用。该器件的最大漏源电压为200V，能够满足中高压应用的需求，如工业电源和焊接设备。
　　此外，IXTQ140N20P具备良好的热稳定性和快速的开关速度，减少了开关损耗并提高了系统的响应能力。TO-247封装提供了优良的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能稳定工作。内置的体二极管也具备良好的反向恢复特性，适用于高频开关环境中的能量回馈和续流操作。
　　该MOSFET还具备较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，提升了系统的可靠性和安全性。其栅极驱动要求较低，适合与常见的驱动IC配合使用，简化了电路设计。

IXTQ140N20P广泛应用于各种高功率电子系统中，包括工业电源、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电动工具和电机控制系统、太阳能逆变器以及电焊机等设备。其优异的导通和开关性能使其成为高效能、高可靠性设计的理想选择。在电机控制应用中，它能够有效驱动大功率直流或交流电机，实现平稳的启动和调速。在电源转换系统中，该器件可用于升压、降压或隔离式变换器，提升整体转换效率。同时，其耐高压和大电流的特性也使其适用于高功率LED照明驱动和电池充电器设计。

IXFN140N20P, IXFH140N20P