时间：2025/8/5 15:20:49
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IXTQ130N10T 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率开关应用。该器件设计用于高效能电源转换系统，如 DC-DC 转换器、电机控制和功率因数校正（PFC）电路。IXTQ130N10T 具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力以及优异的热性能，使其在高电流和高电压环境中表现出色。
类型：功率 MOSFET
沟道类型：N 沟道
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：130A（在 Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大 5.8mΩ（在 Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247AC
IXTQ130N10T 的核心特性包括其低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率，适用于高电流负载的场景。该器件采用了先进的沟槽技术，确保了在高温条件下的稳定性能。
此外，其 TO-247AC 封装设计具有良好的散热性能，能够承受高功率密度的工作环境，从而延长器件的使用寿命。IXTQ130N10T 还具备出色的雪崩能量耐受能力，确保在过载或短路情况下依然保持可靠性。
该 MOSFET 支持快速开关操作，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。同时，其高耐压能力使得该器件能够适应多种高电压应用场景，例如电源供应器、工业电机控制和新能源系统的功率转换模块。
IXTQ130N10T 广泛应用于需要高效功率管理的电子系统中，包括但不限于：
? 高功率 DC-DC 转换器和电源供应器
? 电机驱动和控制电路
? 功率因数校正（PFC）电路
? 太阳能逆变器和储能系统
? 工业自动化和电源管理系统
该器件的高性能和可靠性使其成为现代高功率电子设备的理想选择。
IXTQ130N10TA2, IXTQ160N10T, IXFN130N10T
