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IXTP98N075T 发布时间 时间:2025/6/21 0:45:00 查看 阅读:3

IXTP98N075T是来自IXYS公司的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247封装形式,广泛应用于需要高效率和低导通损耗的场合。
  这款MOSFET以其出色的电气性能和稳定性著称,适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他工业应用中作为高效的开关元件。

参数

最大漏源电压:750V
  连续漏极电流:9.8A
  栅极电荷:65nC
  导通电阻(典型值):1.3Ω
  功耗:150W
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-247

特性

IXTP98N075T具备高耐压和较低的导通电阻,使其在高频开关应用中表现出色。其主要特点包括:
  1. 高雪崩能量能力,提高了系统的可靠性。
  2. 快速开关速度,减少了开关损耗。
  3. 稳定的动态性能,在负载变化时能够保持良好的工作状态。
  4. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
  5. 具备优异的热稳定性和耐用性,适合长时间运行的应用场景。

应用

IXTP98N075T适用于多种工业和商业领域中的电力电子设备,包括但不限于以下应用:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的高效开关元件。
  3. 电机控制和驱动电路中的功率开关。
  4. 工业逆变器和不间断电源(UPS)系统。
  5. 各种需要高压大电流处理能力的电力调节装置。

替代型号

IXTH10N100P4, IXFK20N100T

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IXTP98N075T参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C98A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C-
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大200W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件