时间：2025/8/8 18:33:34
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FMA16N55G 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件主要用于高功率应用，具有高电压和高电流能力，适合在开关电源、DC-DC 转换器以及电机控制等应用中使用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极-源极击穿电压 (Vds)：500 V
栅极-源极电压 (Vgs)：±30 V
连续漏极电流 (Id)：16 A（在 Tc=25℃）
导通电阻 (Rds(on))：0.38 Ω（最大值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220AB
功率耗散 (Pd)：125 W
FMA16N55G 具有低导通电阻，这使得它在导通状态下能够减少功率损耗并提高效率。此外，该器件具有较高的击穿电压，能够在高电压环境下稳定工作，确保了器件的安全性和可靠性。其 TO-220AB 封装形式有助于有效散热，适用于需要高功率密度的设计。MOSFET 的栅极驱动简单，适合高频开关操作，因此 FMA16N55G 在高频电源转换器中表现优异。
该器件还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定性能。其增强型特性意味着在零栅极电压下，器件处于关闭状态，这有助于防止意外导通，提高电路的安全性。FMA16N55G 的设计使其适用于多种高功率开关应用，包括电源供应器、马达控制和工业自动化设备。
FMA16N55G 被广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、马达驱动器、电池充电器以及工业控制系统等高功率电子设备中。其高电压和高电流能力使其成为需要高可靠性和高效率的电源管理系统的理想选择。此外，该器件也可用于音频放大器的电源部分，确保系统在高功率输出时保持稳定。
FQA16N55C、IRF840、FDPF16N55F、STP16N55M5
