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您所在的位置：电子元器件采购网 > IC百科 > IXTP90N055T

IXTP90N055T 发布时间 时间：2024/9/6 15:36:36 查看 阅读：529

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技术参数

通道数1
　　漏源极电阻：8.8 mΩ
　　极性：N-Channel
　　耗散功率：176 W
　　漏源极电压(Vds)：55 V
　　漏源击穿电压：55 V
　　连续漏极电流(Ids)：90.0 A
　　上升时间：30 ns
　　输入电容(Ciss)：2500pF 25V(Vds)
　　下降时间：20 ns
　　工作温度(Max)：175℃
　　工作温度(Min)：55℃
　　耗散功率(Max)：176W(Tc)

封装参数

安装方式：Through Hole
　　封装：TO-220-3

外形尺寸

长度：10.66 mm
　　宽度：4.83 mm
　　高度：9.15 mm
　　封装：TO-220-3

物理参数

　　工作温度：-55℃~175℃(TJ)

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IXTP90N055T参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchT2™
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C90A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C8.8 毫欧 @ 25A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs61nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2500pF @ 25V
  • 功率 - 最大176W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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