时间：2025/8/6 2:54:17
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IXTP8N70X2M 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件属于 CoolMOS? 系列，专为高电压和高效率应用设计，适用于电源转换、电机控制和工业自动化等高要求的电子系统。
类型：功率 MOSFET
制造工艺：CoolMOS?
漏源电压（Vds）：700V
漏极电流（Id）：8A
导通电阻（Rds(on)）：约0.55Ω
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
功率耗散（Ptot）：125W
IXTP8N70X2M 具备低导通电阻特性，这使其在导通状态下能够降低功耗，提高系统效率。该器件采用了英飞凌先进的 CoolMOS? 技术，相比传统的硅基 MOSFET，能够在更高的开关频率下运行，同时减少开关损耗。此外，其高击穿电压（700V）使其非常适合用于高电压应用，如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器以及电机驱动系统。该器件还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的工作环境下长时间运行。
IXTP8N70X2M 的 TO-220 封装提供了良好的散热性能，适合高功率密度设计。该封装也便于安装散热片，从而进一步提升热管理能力。此外，该 MOSFET 在短路和过载条件下表现出良好的耐用性，能够承受较高的瞬态电流和电压应力。
IXTP8N70X2M 主要应用于高电压、高效率的电力电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器、工业自动化设备以及电池充电器等。此外，该器件也广泛用于 LED 照明系统、UPS（不间断电源）和新能源设备，如太阳能逆变器和储能系统。由于其高可靠性和高效能特性，IXTP8N70X2M 也适用于需要高稳定性和长时间运行的工业控制和自动化系统。
IXTP8N70X2KSA1, IXTP8N70P, STF8NM60ND, FQA8N70
